目录

第一章 集成电路放大器件模型

1.1 引言

1.2 PN结的耗尽区

1.3 双极型晶体管的大信号特性

1.4 双极型晶体管的小信号模型

1.5 金属氧化物效晶体管的大信号特性

1.6 MOS晶体管的小信号模型

1.7 MOS晶体管的短沟道效应

1.8 MOS晶体客中的弱反型

1.9 晶体管中的衬底电流

附录

a.1.1 有源器件参数列表

第二章 双极型、MOS和BICMOS集成电路技术

2.1 引言

2.2 集成电路产生的基本过程

2.3 高压双极型集成电路的制造

2.4 高级双极型集成电路的制造

2.5 双极型模拟集成电路中的放大器件

2.6 双极型集成电路中的无源元件

2.7 基本双极型工艺的改进

2.8 MOS集成电路的制造

2.9 MOS集成电路中的有源器件

2.10 MOS工艺中的无源器件

2.11 BICMOS技术

2.12 异质结双极型晶体管

2.13 互连延迟

2.14 集成电路制造过程的经济意义

2.15 集成电路的封装因素

附录

a.2.1 SPICE模型参数

第三章 单级放大器与多级放大器

3.1 模拟电路近似分析中器件模型的选择

3.2 放大器的二端口模型

3.3 基本单管放大器

3.4 多级放大器

3.5 差分对

a3.1 静态初步和高斯分布

第四 章镜像电流源、有源负载和基准源

4.1 引言

4.2 镜像电流源

4.3 有源负载

4.4 电压和电流基准源

附录

a.4.1 考虑镜像电流源的匹配

a.4.2 有源负载差分对的输入失调电压

第五章 输出级

5.1 引言

5.2 射随器作为输出级

5.3 源极跟随器作为输出级

5.4 乙类放大器推挽式输出级

5.5 cMOS甲乙类输出级

第六章 单端输出的运算放大器

6.1 运算放大器的应用

6.2 从理想运算放大器到实际运算放大器的偏离

6.3 基本的二级MOS运算放大器

6.4 具有串接放大器的二级MOS运算放大器

6.5 MOS管可伸缩式串接运算放大器

6.6 MOS管折叠串接运算放大器

6.7 MOS管有源串接运算放大器

6.8 双极型运算放大器

6.9 单片集成运算放大器的设计中要考虑的问题

第七章 集成电路的频率响应

7.1 引言

7.2 单级放大器

7.3 多级放大器的频率响应

7.4 741运算放大器的频率响应分析

7.5 频率响应和时间响应的关系

第八章 反馈

8.1 理想反馈方程

8.2 增益灵敏度

8.3 负反馈对失真的影响

8.4 反馈结构

8.5 实际组态及负载的影响

8.6 单级反馈

8.7 反馈电路用作稳压器

8.8 使用反馈比的反馈电路分析

8.9 在反馈电路中建立输入和输出端口的模型

第九章 反馈放大器的频率响应和稳定性

9.1 引言

9.2 反馈放大器中增益与带宽的关系

9.3 不稳定性和奈奎斯特判据

9.4 补偿

9.5 根轨迹

9.6 摆率

附录

a.9.1 反馈比参数术语分析

a.9.2 二次方程根

第十章 非线性模拟电路

10.1 引言

10.2 精密整流

10.3 使用双极型晶体管的模拟乘法

10.4 锁相环路(PLL)

10.5 非线性函数综合

第十一章 集成电路的噪声

11.1 引言

11.2 噪声源

11.3 集成电路元件的噪声模型

11.4 电路噪声的计算

11.5 等效输入噪声源

11.6 在噪声特性下的反馈

11.7 其他晶体管结构的噪声特性

11.8 运算放大器噪声

11.9 噪声带宽

11.10 噪声因数和噪声温度

第十二章 全差分运算放大器

12.1 引言

12.2 全差分放大器的性能

12.3 对称差分放大器的小信号模型

12.4 共模反馈

12.5 共模反馈电路

12.6 全差分运算放大器

12.7 不对称的全差分电路

12.8 共模反馈环路的带宽

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