【Verilog HDL 训练】第 02 天
1. 画一下电路图:CMOS反相器、与非门、或非门、三态输出门、漏极开路门。
CMOS反相器电路由两个增强型MOS场效应管组成。
上方为P沟道增强型MOS管,下方为N沟道增强型MOS管。
CMOS反相器电路由两个增强型MOS场效应管组成,其中TN为NMOS管,称驱动管,TP为PMOS管,称负载管。 NMOS管的栅源开启电压UTN为正值,PMOS管的栅源开启电压是负值,其数值范围在2~5V之间。
所以,当输入Vi为低电平时,TP导通,TN截止,输出Vo为高电平Vdd;当输入Vi为高电平时,TN导通,TP截止,输出Vo为低电平0。
参考:反相器
2. 解释一下Vih,Vil,Vol,Voh,Vt,Iddq
Vih:输入电压由高到低变化时,输出电压开始上升且传输特性曲线斜率为-1的点,即图中B点对应的输入电压。(仍能维持输出为逻辑“1”的最大输出电压)
Vil:输入电压由低到高变化时,输出电压开始下降且传输特性曲线斜率为-1的点,即图中A点对应的输入电压。(仍能维持输出为逻辑“0”的最小输出电压)
Voh:定义为最小合格高电平。(维持输出为逻辑“1”的最大输出电压)
Vol:定义为最大合格低电平。(维持输出为逻辑“0”的最大输出电压)
CMOS集成电路内部规定Vol = 0v,Voh = Vdd。
Vt:MOS管的阈值电压
如果输入电平是(Vil+Vih)/2,会有什么问题
输入电压(Vil+Vih)/2接近于0.5Vdd,CMOS反相器的阈值电压也接近于0.5Vdd,这样输出不确定会是高电平还是低电平,输出呈亚稳态!
参考:https://www.cnblogs.com/ninghechuan/p/9938802.html
3. CMOS反相器的速度与哪些因素有关?什么是转换时间(transition time)和传播延迟(propagation delay)?
影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部,即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。
参考:CMOS与TTL电路的详细对比区别
Transition Time(转换时间):上升时间:从10%Vdd上升到90%Vdd的时间,下降时间L从90%Vdd下降到10%dd的时间。上升时间和下降时间统称为Transition Time,也有定义为20%到80%。
Propagation Delay(传播延时):在输入信号变化到50%Vdd到输出信号变化到50%Vdd之间的时间。
参考:https://www.cnblogs.com/ninghechuan/p/9938802.html
4. CMOS反相器的功耗主要包括哪几部分?分别与哪些因素相关?
CMOS反相器的全部功耗为动态功耗Pd和静态功耗Ps之和。
动态功耗由两部分组成,一部分是对负载电容充、放电所消耗的功率Pc,另一部分是由于两个MOS管在短时间内同时导通所消耗的瞬时导通功耗Pt。
5. 什么是latch-up(闩锁效应)?
闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的破坏力,会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(latch-up),是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上,则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏,并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下,器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、EOS(电过载)和器件损坏。
参考:百度百科
6. 相同面积的cmos与非门和或非门哪个更快?
电子迁移率是空穴的2.5倍(在硅基CMOS工艺中),运算就是用这些大大小小的MOS管驱动后一级的负载电容,翻转速度和负载大小一级前级驱动能力相关。为了上升延迟和下降延迟相同,PMOS需要做成NMOS两倍多大小。
载流子的迁移率,对PMOS而言,载流子是空穴;对NMOS而言,载流子是电子。
PMOS采用空穴导电,NMOS采用电子导电,由于PMOS的载流子的迁移率比NMOS的迁移率小,所以,同样尺寸条件下,PMOS的充电时间要大于NMOS的充电时间长,在互补CMOS电路中,与非门是PMOS管并联,NMOS管串联,而或非门正好相反,所以,同样尺寸条件下,与非门的速度快,所以,在互补CMOS电路中,优先选择与非门。
参考:https://zhuanlan.zhihu.com/p/49176496
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