ASEMI快恢复二极管SFF806A的压降是多少

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我们都知道，正向压降决定着二极管的功耗和性能，那么什么是二极管的正向压降？ASEMI快恢复二极管SFF806A的压降是多少呢？

SFF806A参数描述

型号：SFF806A

封装：ITO-220AC

特性：超快恢复二极管

电性参数：8A，600V

芯片材质：抗冲击硅芯片

正向电流(Io)：8A

芯片个数：1

正向电压(VF)：1.5V

芯片尺寸：86 MIL

浪涌电流Ifsm：125A

漏电流(Ir)：10uA

工作温度：-55~+150℃

恢复时间(Trr)：35nS

引线数量：2

在电子电路中，将快恢复二极管SFF806A的阳极接高电位端，阴极接低电位端，快恢复二极管就会导通。这种连接方式称为正向偏置。需要注意的是，当加在SFF806A两端的正向电压很小时，快恢复二极管SFF806A仍然不能导通，流过二极管的正向电流非常微弱。只有当正向电压达到一定值（这个值称为“阈值电压”）时，二极管SFF806A才能直接导通。导通后，二极管两端的电压基本保持不变，称为二极管的“正向压降”。

SFF806A快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同。它在P型和N型硅材料之间增加一个基区I，形成PIN硅芯片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大降低了trr值，而且瞬态正向压降也减小了，使管子可以承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般在几百纳秒，正向压降在0.6V左右。正向电流为几安到几千安，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管SFF806A的反向恢复电荷进一步降低，使其trr可低至几十纳秒。

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