双向可控硅晶片光耦(TLP160J TLP260J TLP525G)基本原理及应用实例
TLP160J TLP260J TLP525G是输出端采用双向可控硅晶片的光耦,此3款光耦采用的是非过零触发导通形式,因此应用在交流电的情况下,在交流电的任意相位,只要收到输入的的触发信号,输出端就会开始导通,故可以改变交流电的导通角。
TLP160J和TLP260J,采用的是SOP-4的小封装,而TLP525则是采用DIP-4的封装,因此他们比传统的DIP-6体积更小,能有效的节省PCB空间,减小客户产品尺寸,产品尺寸小了,但耐压能力却没有缩水,TLP525G耐压达到400V,而TLP160J,TLP260J耐压更是达到600V。
型号 基本参数 |
TLP525 |
TLP160J |
TLP260J |
封装 |
DIP-4 |
SOP-4 |
SOP-4 |
触发电流 IFT |
10 mA |
10 mA |
10 mA |
耐压 VDRM |
400 V |
600 V |
600 V |
输出电流 IT |
100 mA |
70 mA |
70 mA |
开管时压降 VTM |
3.0 V |
2.8 V |
2.8 V |
基本原理
从他的基本原理图可以看出,输入端为一个LED,一般为940nm的红外线LED,而输出端为一个双向可控硅,门极由光电模块取代,因此,双向可控硅的导通,由LED进行控制。
可控硅的I/V曲线如下图所示,图中横轴为电压,纵轴为电流,横轴最远的地方为他的耐压值 VDRM,就算IF不给他信号,如果他的电压超过VDEM,可控硅照样会导通,IF的作用是降低VDRM的值。值得要注意的是,IFT实际上表达的意思是使VDRM将到3V以下的电流值。
因此当我们给LED一定电流时,可控硅的VDRM会降低,比如本来耐压是600V,而现在可能变成100V,如果可控硅两端的电压是220V,就算此时IF的电流并未达到datasheet上上IFT的值,光耦的输出端照样会被导通。所以在使用可控硅输出光耦时,当输出端两端的电压越是大时,尤其要注意防止输入端的杂讯,防止因为杂讯的出现造成在不需要的时候导通。
应用实例
可使用双向可控硅光耦去控制双向可控硅的导通,用以驱动电机,灯源等负载,并且可实现调速调光等功能。在控制与驱动领域,双向可控硅光耦应用非常广泛。
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