现在来谈谈JSCJ的MOSFET。它是一种可以常使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好;制造工艺简单、辐射强,因而通常被用于放大电路或开关电路。确定MOSFET的主要特性是其漏源电压VDS,或“漏源击穿电压”,这是在栅很短路到源极,漏极电流在250μA情况下,MOSFET所能承受的确保不损坏的高电压。VDS也被称为“25℃下的绝 对 高电压”,但是定要记住,这个绝 对电压与温度有关,而且数据表里通常有一个“VDS温度系数”。在高温下,温度系数会显著改变击穿电压。对正确选择MOSFET同样重要的是理解在导通过程中栅源电压VGS的作用。

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