模拟CMOS 第2章 MOS器件物理基础
模拟CMOS 第2章 MOS器件物理基础
文章目录
- 模拟CMOS 第2章 MOS器件物理基础
- 2.1 基本概念
- 2.1.1 MOSEFT开关
- 2.1.2 MOSEFT结构
- 2.1.3 MOS符号
- 2.2 MOS的I/V特性
- 2.2.1 阈值电压
- 2.3 二级效应
- 2.4 MOS器件模型
- 2.4.1 MOS器件版图
- 2.4.2 MOS器件电容
- 2.4.3 MOS小信号模型(不懂)
- 2.4.4 MOS SPICE模型
- 2.4.5 NMOS与PMOS器件的比较
- 2.4.6 长沟道器件与短沟道器件的比较
2.1 基本概念
2.1.1 MOSEFT开关
- 如上图所示,MOS器件有三个端口(实际上有四个),分为S(源)D(漏)G(栅),其中S和D可以互换(对称)
- 当VG是高电平,S和D是连在一起的。
- 当VG是低电平,S和D是断开的。
2.1.2 MOSEFT结构
EFT( field effect transistor)=场效应晶体管
NMOS:
可以看到我在栅极(G)表了金属铝,这是我从另外一个版本中听来的,书中这层是多晶硅(无定形形式的硅,可导电),拉给的解释是很久以前用的是金属,近用的多晶硅。
所谓n型区,就是参杂的硅,如参杂磷元素——多出许多自由电子。
Ldrawn:沟道总长度
LD :横向扩散长度
Leff:沟道有效长度
- Leff = Ldrawn- 2 LD
对于上图(介绍NMOS这张)中衬底引脚问题,实际的链接是通过一个p+
PMOS
- 对于PMOS,我们可以参考NMOS,只需将p型衬底改为n型衬底,n型区改为p型区即可。书上的描述为:所有参杂类型取反。
- 但在实际中,由于NMOS和PMOS需要做到同一张芯片上(CMOS同时用到他们俩),于是就必须有一个是局部衬底,如下图中b所示,学名“阱”
2.1.3 MOS符号
- - a)是四个脚都画出来的状态 - b)是常用的,省略衬底(B)的表示方法 - c)是数字电路中使用开关来表示N/P MOS
2.2 MOS的I/V特性
- 参考课程
- 笔记如下:
基于此我尝试复述一下拉书中对应部分,最后再给出公式推导
- 定义:Ug=栅极电压,Uds=源漏极电压
2.2.1 阈值电压
- - 该图对应笔记的第一章,ab图是指在ds(俩n+)极不加电压(或很小),Ugs加电压,此时PN结会扩散至绝缘层下部(和左右两个PN结连在一起),但是没有到Ug(th)=Ug的时候(某一个阈值),只是有耗尽层,而没有沟道(反型层)。 - cd图,描述了反型层的形成(随着Ug增大)
关于I/V特性可以得出上图的曲线,对应笔记中的第二章,
即由于我们对Uds加了电压,在一开始的时候,沟道等效于电阻,但是因为Uds导致左右两侧电压的差异,当达到某一值当时候(Ugth=Ug-Uds)就会发生预夹断现象
当Uds继续扩大的时候,夹断得更多,此时就出现了恒流区——增加的Uds抵消了沟道增加的电阻值
于是就有了一开始的这张关系图,他说明恒流区的电流大小于Ug有关(由其决定)
2.3 二级效应
参考笔记
体效应(背栅效应):
- 书中的描述是:当VB<0当时候,将有更多空穴被英道衬底电极,而同时留下大量负电荷——耗尽层变得更宽了。
- 参考笔记中的描述是:MOS管是一个三极管,但是在实际的芯片物理结构中,这个三极管是做在衬底上的,衬底作为电路的载体,是接地的。而芯片内,由于金属很薄很细,金属本身的电阻不能忽略,不是金属的衬底电阻率更大,这些都是本该视为理想导体的地方。这就导致,本该是0电位的源极S可能大于0.这就导致我们前面所有的公式中的有关S的部分都要继续减掉一个VS,最直接的影响就是VTH变大了。
- 于是我的理解就是,体效应引起耗尽层变宽,需要更大的VG。
沟道长度调制:
- 随着VDS的增大,沟道已经被夹断了,实际的**沟道长度——有载流子的部分变小了。**与负载电阻一样,这个电阻也是要分流的(也就是ID会增大),这就意味着输出电流会减小!放大器的放大倍数要减小!
于是公式得改写:
- 随着VDS的增大,沟道已经被夹断了,实际的**沟道长度——有载流子的部分变小了。**与负载电阻一样,这个电阻也是要分流的(也就是ID会增大),这就意味着输出电流会减小!放大器的放大倍数要减小!
亚阈值导电性:
当VGS<=VTH当时候,仍然存在一些ID,它并非是无限小的,当VDS>200mV的时候,有公式:
<img src="https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/e1418e3f50f5351ec8f3970b85810bc4.png#pic_center alt=“image-20210222224705162” style=“zoom:50%;” />
电压限制:
- VDS过大会击穿。
2.4 MOS器件模型
2.4.1 MOS器件版图
2.4.2 MOS器件电容
MOS的四个端子中任意两个存在电容
电容值可由晶体管的偏置情况决定:
1、栅和沟道之间的氧化电容:C1=WLCox
2、衬底和沟道之间的耗尽层电容:C2=
3、多晶硅栅与源/漏的交叠而产生的电容C3/C4,通常需要复杂的计算得到,每单位的交叠电容用Cov表示
4、源/漏区与衬底之间的电容(图b),分为Cj和Cjsw,分别表示单位面积和单位长度的电容
- 每个结电容都可以表示为,式中VR是反向电压,是结电容的内建电势,幂指数m的值一般在0.3-0.4之间
2.4.3 MOS小信号模型(不懂)
首先什么是小信号模型:阈值相对的是大信号模型,这可以理解成静态工作点附近的电压电流电容。而小信号模型是大信号模型在静态工作点附近的近似。
- 个人认为,大信号就是直流工作点,而小信号就是输入的交流信号在直流工作点上对NMOS管产生的影响,这个交流小信号并不影响直流工作点。
这里再提一下gm(手写笔记最后一个公式):跨导,表达的是该NMOS管在 VDS 一定的情况下,NMOS将电压转化成电流的能力的大小,定义为漏电流的变化量除以栅源电压的变化量。
这个部分还没明白:
2.4.4 MOS SPICE模型
- spice建模,参数:
2.4.5 NMOS与PMOS器件的比较
- PMOS器件的性能比NMOS差
- 对于给定器件尺寸和偏置电流,NMOS晶体管呈现出较高的输出电阻,为放大器提供了更理想的电流和更高的增益
2.4.6 长沟道器件与短沟道器件的比较
- 本章公式对与长沟道器件有效,但对于短沟道器件需要修正。
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