本发明涉及芯片技术领域，尤其涉及一种太赫兹芯片。

背景技术：

芯片是指其内含集成电路的半导体基片，是集成电路的物理载体。而半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，常见的有硅、锗、砷化镓等，用于制造芯片。

集成电路产业离普通人很近又很远，大多数人只知道手机和电脑需要使用集成电路产业。然而其实各行各业里面都要用到电子器件，CPU、GPU、单片机、数控装备、汽车等都离不开芯片。

太赫兹芯片以其高频性、人体安全性、大带宽特性使其在太赫兹雷达、人体安检及高速无线通信等领域具有极大的应用价值。

然而目前的太赫兹芯片存在着芯片厚度大，抗瞬态干扰能力不强的问题。同时还存在芯片的工作频率较低，倍频混频等功能效果差的问题。

实同时用新型内容

为了克服上述技术的不足，本发明的目的是提供一种太赫兹芯片，芯片厚度小，抗瞬态干扰能力强，芯片的工作频率高，倍频混频等功能效果好。

本发明所采用的技术方案是：一种太赫兹芯片，包括三五族衬底，所述三五族衬底上方设置有外延层，三五族基片通过过渡层与外延层连接，所述外延层上表面中部设置有肖特基结，环绕肖特基结设置有氧化层，所述氧化层固定敷设在外延层的上表面上，所述氧化层与外延层之间设置有P型扩散区，所述肖特基结、P型扩散区和氧化层上均设置有电极金属。

所述三五族衬底的厚度为2.5-3.5mm。

所述外延层的厚度为16-20um，电阻率为2-3ohm.cm。

所述外延层的厚度为23-30um，电阻率为3-5ohm.cm。

所述过渡层的电阻率为0.04-0.9ohm.cm。

所述三五族衬底的电阻率为0.002-0.003ohm.cm。

所述氧化层为二氧化硅层。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：本发明所述的一种太赫兹芯片，抗瞬态干扰能力强，芯片的工作频率高，倍频混频等功能效果好，大多数三五族元素，包括铟、镓、砷以及磷，都比硅有更高的电子迁移率和禁带宽度，采用三五族材料制成的三五族衬底，有效降低了器件的串联电阻和寄生电容，使得芯片可在太赫兹频段应用，。

附图说明

图1是本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作详细说明。

实施例1

如图1所示，一种太赫兹芯片，包括三五族衬底1，所述三五族衬底1上方设置有外延层4，三五族基片1通过过渡层5与外延层4连接，所述外延层4上表面中部设置有肖特基结2，环绕肖特基结2设置有氧化层3，所述氧化层3固定敷设在外延层4的上表面上，所述氧化层3与外延层4之间设置有P型扩散区6，所述肖特基结2、P型扩散区6和氧化层3上均设置有电极金属。

所述三五族衬底1的厚度为2.5-3.5mm，优选为2.5mm或3 mm或3.1mm。

所述外延层4的厚度为16-20um，电阻率为2-3ohm.cm。

所述过渡层5的电阻率为0.04-0.9ohm.cm。

所述三五族衬底1的电阻率为0.002-0.003ohm.cm。

所述氧化层3为二氧化硅层。

实施例2

一种太赫兹芯片，包括三五族衬底1，所述三五族衬底1上方设置有外延层4，三五族基片1通过过渡层5与外延层4连接，所述外延层4上表面中部设置有肖特基结2，环绕肖特基结2设置有氧化层3，所述氧化层3固定敷设在外延层4的上表面上，所述氧化层3与外延层4之间设置有P型扩散区6，所述肖特基结2、P型扩散区6和氧化层3上均设置有电极金属。

所述三五族衬底1的厚度为2.5-3.5mm。

所述外延层4的厚度为16-20um，电阻率为2-3ohm.cm。

所述过渡层5的电阻率为0.04-0.9ohm.cm。

所述三五族衬底1的电阻率为0.002-0.003ohm.cm。

所述氧化层3为二氧化硅层。

实施例3

一种太赫兹芯片，包括三五族衬底1，所述三五族衬底1上方设置有外延层4，三五族基片1通过过渡层5与外延层4连接，所述外延层4上表面中部设置有肖特基结2，环绕肖特基结2设置有氧化层3，所述氧化层3固定敷设在外延层4的上表面上，所述氧化层3与外延层4之间设置有P型扩散区6，所述肖特基结2、P型扩散区6和氧化层3上均设置有电极金属。

所述三五族衬底1的厚度为2.5mm。

所述外延层4的厚度为16um，电阻率为2ohm.cm。

所述过渡层5的电阻率为0.04ohm.cm。

所述三五族衬底1的电阻率为0.002ohm.cm。

所述氧化层3为二氧化硅层。

实施例4

一种太赫兹芯片，包括三五族衬底1，所述三五族衬底1上方设置有外延层4，三五族基片1通过过渡层5与外延层4连接，所述外延层4上表面中部设置有肖特基结2，环绕肖特基结2设置有氧化层3，所述氧化层3固定敷设在外延层4的上表面上，所述氧化层3与外延层4之间设置有P型扩散区6，所述肖特基结2、P型扩散区6和氧化层3上均设置有电极金属。

所述三五族衬底1的厚度为3mm。

所述外延层4的厚度为18um，电阻率为2.5ohm.cm。

所述过渡层5的电阻率为0.5ohm.cm。

所述三五族衬底1的电阻率为0.0025ohm.cm。

所述氧化层3为二氧化硅层。

实施例5

一种太赫兹芯片，包括三五族衬底1，所述三五族衬底1上方设置有外延层4，三五族基片1通过过渡层5与外延层4连接，所述外延层4上表面中部设置有肖特基结2，环绕肖特基结2设置有氧化层3，所述氧化层3固定敷设在外延层4的上表面上，所述氧化层3与外延层4之间设置有P型扩散区6，所述肖特基结2、P型扩散区6和氧化层3上均设置有电极金属。

所述三五族衬底1的厚度为3.5mm。

所述外延层4的厚度为20um，电阻率为3ohm.cm。

所述过渡层5的电阻率为0.9ohm.cm。

所述三五族衬底1的电阻率为0.003ohm.cm。

所述氧化层3为二氧化硅层。

上述实施例以本发明技术方案为前提，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于上述的实施例。