A:晶振与晶体区别

  1. 晶振是有源晶振的简称,又叫振荡器,英文名称是oscillator,内部有时钟电路,只需供电便可产生振荡信号;
  2. 晶体则是无源晶振的简称,也叫谐振器,英文名称是crystal是无极性元件,需要借助时钟电路才能产生振荡信号。

B:关键参数

  1. 标称频率(Normal Frequency):单位是HZ,这是晶体规格书中所指的频率,也是进行电路设计和元件选购时首先关注的参数;
  2. 频率误差(Frequency Tolerance at 25℃):单位是ppm(partsper million),即百万分之一(1/),是相对于标称频率的变化值,越小表明精度越高;
    例如:12MHz晶振在25 ℃时,偏差为±20ppm,表示它的频率偏差为 ±12M×20×1/Hz=±240Hz,即频率范围是(11999760~12000240Hz);
  3. 负载电容(Load Capacitance)(CL):单位是pf,这是与晶体元件一起决定负载谐振频率的电容。在设计晶体电路,选择晶体震荡电路所需的电容值时的依据;
  4. 寄生电容(Shunt Capacitance):又叫静态电容(CO),单位是pf,它的值决定于电极面积、晶片厚度和晶片加工工艺;
  5. 动态电容(C1):单位是pf,等效电路中动态臂里的电容,它的大小主要和电极面积、晶片平行度、微调量的大小有关;
  6. 动态电感(L1):等效电路中动态臂里的电感,动态电感与动态电容是一对相关量;
  7. 品质因数(Q):品质因数又称机械Q值,是反映谐振器性能好坏的重要参数,它与L1和C1有如下关系:
                                                
            如上式,R1越大,Q值越小,功率耗散越大,而且还会导致频率不稳定;反之Q值越高,频率越稳定。

C:参数计算

  1. 理论知识: 如下图所示,C1为动态等效串联电容,L1为动态等效串联电感,R1为动态等效串联电阻,C0为静态电容;
                        
           电路的谐振频率(Fr)也称为电路的固有频率。由于谐振时电路的感抗与容抗相等,即   , 所以谐振角频率 , 由于  , 所以谐振频率   。故谐振频率Fr只由电路本身固有的参数L和C所决定,品质因数表达式为     。
    此电路的频率特性曲线如下图所示:
                                                             
    由频率特性曲线可以看出:

    当R1、L1、C1串联支路发生谐振的频率为串联谐振频率(Fr)时,此时容抗与感抗相互抵消,该支路呈纯阻性,等效电阻为R1,谐振频率为 ;这个频率是晶体的自然谐振频率,它在高稳晶振的设计中,是作为使晶振稳定工作于标称频率、确定频率调整范围、设置频率微调装置等要求时的设计参数。
    a)当   时,C0和C1电抗较大,起主导作用,晶体呈容性;
    b)当   时,L1、C1、R1支路呈感性,将与C0产生并联谐振,晶体又呈纯阻性,谐振频率
                                                            
         由于 ,所以   ;
    c)当  时,电抗主要决定于C0,晶体又呈容性。

  2. 实际: 通常厂家的晶振元件数据手册给出的标称频率不是Fr或FL,实际的晶体元件应用于振荡电路中时,它一般还会与负载电容相联接,共同作用使晶体工作于Fr和FL之间的某个频率,这个频率由振荡电路的相位和有效电抗确定,通过改变电路的电抗条件,就可以在有限的范围内调节晶体频率。
    当负载电容与晶体串联时,此时新的负载谐振频率如下式所示:
                                                         ,其中C1远远小于C0+CL;
    当负载电容与晶体并联时,相应的负载谐振频率如下式所示:
                                                         ;
       从实际效果上看,对于给定的负载电容值, 与  两个频率是相同的, 这个频率是晶体的绝大多数应用时所表现的实际频率,也是制造厂商为满足用户对产品符合标称频率要求的测试指标参数,也就是本文最开头介绍的晶振标称频率。

  3. 选型计算实例: 
    例如一12Mhz典型晶体震荡电路如下图所示: C1和C2是如何计算出来的?

    (R1有的芯片集成到内部了)                                                               
    选择的晶振为:                                                 
    负载电容的计算公式如下所示:   
                                                   

  4.  其中, 为晶体两个管脚间的寄生电容(Shunt Capacitance)
     表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容,包括PCB走线电容 、芯片管脚寄生电容 、外加匹配电容 
    即   = ++

     表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容,包括PCB走线电容 、芯片管脚寄生电容 、外加匹配电容 
    即   = ++

    一般  为 1pF 左右, 与  一般为几个皮法,具体可参考芯片或晶振的数据手册;
    (手册上该晶体  = 7pF(max),一般而言  ​ ​​​​=  = 5pF, = 4pF

    按照规格书上的负载电容值 20pF、 = 4pF 计算所需的  ,则有
                                                          
    则  = = 32pF,== - - = 32-4-5= 23pF;
    故可以得出上面的晶体震荡电路匹配电容==22pF。
    其他振荡电路可以根据公式计算得出。

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