笔记：模电-1.3三极管（晶体管）
目录
1.晶体管的结构和符号
2.晶体管的放大原理
3.晶体管电流关系
4.晶体管输入输出特性
4.1输入特性
4.2输出曲线
4.3温度对晶体管特性的影响
5.主要参数
1.晶体管的结构和符号
- 圆孔的作用：便于安装散热器（所以看到圆孔，就应该想到—该管子是大功率或者中功率管子）
- 图中结构式意图为NPN，值得注意的是//基区多子浓度低，且薄//发射区多子浓度高//集电区面积大
注意：发射结和集电极，本质是两个PN结
2.晶体管的放大原理
- 放大的条件：1.发射结正偏，集电结反偏//即
>
(正偏)，
≥0（反偏，也就是
≥
- 晶体管放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流
从上述红字得——晶体管是电流控制元件（后面说场效应管的时候，会对比说明）
内部载流子运动
：复合运动形成基极电流
：扩散运动形成发射级电流
：漂移运动形成集电极电流
图例讲解：主要电流是图中大的，由于BE直接加正向电压，所以发射区的多子扩散运动加剧，电子从发射区扩散到基区，但是，基区的多子（空穴）浓度低且基区薄，所以从发射区扩散到基区的电子虽然进行了复合运动，但是只是少部分的电子，因为基区的空穴浓度在那里放着，而此时，又因为BC之间呢，加了反向电压，所以阻碍多子的扩散，加剧少子的漂移，在BC之间，C是N型半导体，所以阻碍的是集电极电子通过集电结，而对于基极则是阻碍多子（空穴）而有利于电子的漂移，这时，刚刚从发射区扩散到基区的电子，一小部分进行复合，剩下的则是在BC反向电压的作用下，进行了漂移运动，进入到了集电极
旁边两个小的支流：由B到E，因为BE加正向电压，所以肯定也有B到E的扩散，但还是那句话—基区的多子（空穴）浓度低且基区薄，所以相对而言是小的；至于C到B的支流，是因为集电区的少子（空穴）漂移。
3.晶体管电流关系
：电流放大系数 // 是放大能力也是
- 晶体管具有电流放大作用的实质是利用基极电流实现对集电极电流的控制。
- 问题：什么时候
- 注意：穿透电流和集电结反向电流都是越小越好（同一型号的管子前提下）
解释： 以
为例，这里的O，缺哪个极，这个O就表示哪个极开路，这里缺e，所以
：穿透电流——在输出特性曲线中，
回答上图右下角问题：因为以基本共射放大电路原理图为例，此时，虽然b级开路，但是VCC电源还在，那么看发射结和集电结的偏置，会发现依旧是属于发射结正偏，集电结反偏（因为b开路相当于o，c为电源正，e为电源负），所以会有穿透电流
穿透电流的大小反应集电结的单向导电性好坏（越小越好） 作为三极管质量好坏的重要参数// 和二极管的反向饱和电流那里一样的啦，越小越好
回答：当三极管是理想三极管的时候，但是在模电学习中，通常都是默认相等的
当然，参照输出曲线 ，
4.晶体管输入输出特性
4.1输入特性
- 输入特性是在管压降
和发射结压降
之间的函数关系
- 问题1：为什么
- 问题2：为什么
- 问题3：为什么
回答：
1.因为
2.首先，理解
3.当
也不会明显增大，也就是说，
注：对于小功率管，可以用
4.2输出曲线
- 输出特性是在
- 输出特性曲线三个区——截至区、放大区、饱和区
穿透电流
这里要注意一个uces——为饱和压降，在放大的图解那里有用到；场效应管处也有类比
回答：参考上面输入曲线分析，
判断晶体管是否还在放大区：
当
实际电路中，则是UBE增大，ib随之增大，但ic增大不多或不变，即饱和
4.3温度对晶体管特性的影响
- 输入：与二极管类似，T上升，曲线左移。即，
- 输出：T上升→
- 其实，就是集中表现在——集电极的电流增大
5.主要参数
：特征频率——
- 当功率大于最大集电极耗散功率时，管子就烧了
三极管暂时写到这里，后面有新的在补充。三极管和共射放大的联系很多，要能联通。
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