文章目录

晶体三极管
- 外形
- 结构与符号
晶体管的放大原理
- 【放大条件】
- 【基本共射放大电路】
- 【晶体管内部载流子运动】
- 【电流分配】
- 【共射输入特性曲线】
- 【共射输出特性曲线】
- 【共射特性曲线总结思考】
- 【晶体管工作区域】
- 【晶体管的主要参数】
- 【温度对晶体管特性参数影响】

晶体三极管

外形

(a.),(b.)：小功率管
(c.)：中功率管-外型易于安装散热器
(d.)：大功率管-外型易于安装散热器

结构与符号

【结构‘NPN’型】
三个极，三个区，两个PN结
发射区：多子浓度高(杂质浓度很高)
基区：多子浓度很低(杂质浓度很低)；薄
集电结：面积很大

【符号】
！注意区分NPN型与PNP型

晶体管的放大原理

【以NPN型晶体管介绍】

【放大条件】

发射结正向偏置，集电结反向偏置

【基本共射放大电路】

分析：输入电压信号，接入基极-发射极回路，称为输入回路；放大后的信号在集电极-发射极回路，成为输出回路。
因发射极为两回路公共端，又称共射放大回路。
晶体管的放大作用表现在：小的基极电流可以控制大的集电极电流

【晶体管内部载流子运动】

【分析】
1.发射结外加正向电压，扩散运动 形成发射极电流
2.扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动 形成基极电流
（因电源VBB的作用，复合运动持续进行）
3.集电结外加反向电压，漂移运动 形成集电极电流
（因集电源VCC作用下，漂移运动形成）
4.发射极电流=基极电流+集电区电流

【电流分配】

【共射输入特性曲线】

概念

图象

图象分析
1.为什么像PN结的伏安特性曲线？
2.为什么UCE增大曲线右移？
3.为什么UCE增大到一定值时右移不明显？

牢记下图几个电流方程，代入场景分析

【共射输出特性曲线】

概念

图象

图象分析

【共射特性曲线总结思考】

UCE管压降增大会导致集电结反向电压增大，使集电区电流增大，积聚基区非平衡少子的本领变强，最终最大化，导致基区电流基本不变，集电区电流也趋于不变
UBE发射结压降，保持不变时发射极电流不变

【晶体管工作区域】

【晶体管的主要参数】

【温度对晶体管特性参数影响】

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