LDO investigation
LDO即low dropout regulator,是一种低压差线性稳压器。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器,如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V,否则就不能正常工作。但是在一些情况下,这样的条件显然是太苛刻了,如5V转3.3V,输入与输出之间的压差只有1.7v,显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况,芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。
压差Dropout、噪音Noise、电源抑制比(PSRR)、静态电流Iq,这是LDO的四大关键数据。
产品设计师按产品负载对电性能的要求结合四大要素来选择LDO。
在手机上用的LDO要求尽可能小的噪音(纹波),在没有RF的便携式产品需求静态电流小的LDO。
压差Dropout
Vin >= Vdrop + Vout。
且一般需要两个外接电容:Cin、Cout,一般采用钽电容或MLCC。
注意:LDO是稳压器。
一般典型的压差电压值为50mV,200mV,240mV,400mV。
[1]彭宇. 一种无片外电容的NMOS LDO[D].天津理工大学,2022.
典型压差电压值约为82mV;【1.7V-1.2V-82mV】
输入电压在1.7-5.5V的范围时,输出电压1.2-5V范围。
噪音Noise
电源抑制比(PSRR)
一般LDO的电源电压抑制比在70dB~80dB,少数为58dB左右。
可以看出,低频时, PSRR为83 dB,频率为100 kHz时, PSRR仍有30
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