1，SDRAM的地址线，

在

我们一般用的什么SRAM啊，PSRAM啊，RAM啊，一般而言都是有多少根地址线，然后可以算出寻址空间，比如有11根地址线，那寻址空间就是2的11

次方减1。但是SDRAM是分列地址和行地址的，行、列地址线是复用的，所以有时候我们看到说寻址空间有多大多大，但是看看地址线怎么就那么几根啊，呵

呵。SDRAM一般还有2根BANK的线，分成4个BANK，在有的处理器的SDRAM控制模块中，这两根线可能映射到地址线的某两根去。一般芯片常按照

以下方式写芯片的配置，比如4Meg x 4 x 16，那这个芯片就是256Mbits。其中16指数据线是16根，中间一个4是只分4个

BANK， 每个BANK是4Meg。

2，SDRAM的初始化

SDRAM上电后使用前必须要经过一段初始化操作才可

以使用。这个操作过程是标准的过程。这个过程如下

A:   precharge

B:   auto-refresh

C:   Load Mode Register

D: Normal Read/Write

在上

电后输入初始化命令值钱，最少要100us延迟(这个其实很容易满足，呵呵)。

在输入precharge命令后，因为必须是对所有

BANK进行Precharge，所以A10这个管脚要设置成高，因此在Precharge后面要做一个读的操作，这个操作最主要的是在SDRAM的寻址

空间里设置的地址必须是A10是高的。

在输入Auto-refresh命令后，一般要跟几句空操作或者读什么之类的，反正要达到延迟的

目的，以使得SDRAM有时间来完成refresh。

之后就是要设置SDRAM的模式寄存器，这个寄存器里一般设置了burst长

度，CAS，burst类型，操作模式，还有是设置SDRAM是工作在单个读写操作还是burst操作下。而这个寄存器的设置也是通过地址线来设置的，所

以在发出Load Mode Register命令后要做一个操作可是使得在SDRAM的地址线上出线的值就是你要设置的值。这里很有必要提醒的一下的

是，这个操作是8位的操作，切记切记。

设置完模式寄存器后就进入正常操作模式。

实际上具体的操作要跟选用的处理器的

SDRAM控制模块相结合来设置。对于这些初始化命令比较直观的理解就是拿逻辑分析仪来分析。

在这里需要提醒一下CAS这个参数很重

要。还有SDRAM必须要刷新的，因此刷新频率可以按照手册算出来的，但是设置的高一点也是可以的。常常SDRAM都有工作频率，但是也可以工作在低一点

的频率上，比如PC133的，你工作到100也是可以的，设置基本不需要修改。

3，其他

我们有时候看到有的原理图上

数据线有倒过来接的，其实这个无所谓的，反过接，写进去的就是反的，但是读出又反了一下，反反两次正好没反。

延伸一下到DDR，其实

DDR就是SDRAM外面加了一个乌龟壳。因此初始化是一样的。当然DDR一是多了一个把时钟频率反相的时钟，因此有2个相位差180度的时钟。这两个一

般都是用同一个时钟源产生，一致性会比较好。还有多了2个DQS，这个也是一个时序要求，一般CPU的控制模块都有设置好了。如果你使用的CPU不含有控

制模块，那用FPGA去做一个控制模块的话，那就要好好研究时序了。

在有些处理器的控制模块中，由于EMI的设置，地址线映射关系复杂，因此推

算会比较麻烦，一般如果没有什么映射的话，还是很容易操作的

4.内存芯片的逻辑BANK

在芯片的内部，内存的数据是以位(bit)为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL，只

要指定一个行(Row)，再指定一个列(Column)，就可以准确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理。这个阵列我们就称为内存芯片的

BANK，也称之为逻辑BANK(Logical

BANK)。由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑

BANK，随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK数量也在不断增加，目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit的

芯片采用的还是2个逻辑BANK的设计，譬如三星的两种16MB芯片：K4S161622D (512K x 16Bit x 2

BANK)和K4S160822DT(1M x 8Bit x 2

BANK)。芯片组本身设计时在一个时钟周期内只允许对一个逻辑BANK进行操作(实际上芯片的位宽就是逻辑BANK的位宽)，而不是芯片组对内存芯片内

所有逻辑BANK同时操作。逻辑BANK的地址线是通用的，只要再有一个逻辑BANK编号加以区别就可以了(BANK0到BANK3)。但是这个芯片的位

宽决定了一次能从它那里读出多少数据，并不是内存芯片里所有单元的数据一次全部能够读出

每个逻辑BANK有8M个单元格(CELL)，一些

厂商(比如现代/三星)就把每个逻辑BANK的单元格数称为数据深度(Data

Depth)，每个单元由8bit组成，那么一个逻辑BANK的总容量就是64Mbit(8M×8bit)，4个逻辑BANK就是256Mbit，因此这

颗芯片的总容量就是256Mbit(32MB)。

内存芯片的容量是一般以bit为单位的。比如说32Mbit的芯片，就是说它的容量是

32Mb(b=bit=位)，注意位(bit)与字节(Byte)区别,这个芯片换算成字节就是4MB(B=Byte=字节=8个bit),一般内存芯片

厂家在芯片上是标明容量的，我们可以芯片上的标识知道，这个芯片有几个逻辑BANK，每个逻辑bank的位宽是多少，每个逻辑BANK内有多少单元格

(CELL)，比如64MB和128MB内存条常用的64Mbit的芯片就有如下三种结构形式：

①16 Meg x 4 (4 Meg x

4 x 4 banks) [16M╳4]

②8 Meg x 8 (2 Meg x 8 x 4 banks) [8M╳8]

③4 Meg x 16 (1 Meg x 16 x 4 banks) [4M╳16]

表示方法是：每个逻辑BANK的单元格数×逻辑

BANK数量×每个单元格的位数(芯片的位宽)。芯片逻辑BANK位宽目前的工艺水平只能最多做到16位，因此大家看到几乎所有的芯片逻辑BANK位宽只

可能4/8/16三者之一。以前16Mbit的芯片基本采用的单个芯片两个逻辑BANK，但是到了64Mbit基本就都是4个逻辑BANK设计了