ASEMI高效恢复二极管型号之US1G
编辑-Z
US1G参数描述
型号:US1G
封装:SMA
特性:小电流、贴片
电性参数:1A 400V
芯片材质:GPP
正向电流(Io):1A
芯片个数:1
正向电压(VF):1.3V
浪涌电流Ifsm:30A
漏电流(Ir):5uA
工作温度:-55~+150℃
恢复时间(Trr):50ns
引线数量:2
US1G的电性参数:正向平均电流1A;反向峰值电压400V
US1G的包装方式:5000pcs/盘
US1G的特征:
1、内置应变消除装置,非常适合自动放置
2、玻璃钝化芯片结
3、快速切换实现高效率
4、高温焊接260 /10 秒
5、塑料包装保证实验室可燃性
US1G的机械数据:
1、外壳:玻璃钝化芯片上的 JEDED DO-214AC 模压塑料
2、端子:镀焊,可焊
3、极性:色带表示阴极端
4、重量:0.002盎司,0.064克
以上就是ASEMI高效恢复二极管型号之US1G的详细参数和特征。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。
ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
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