US1M-ASEMI高效恢复二极管US1M
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US1M在SMA封装里采用的1个芯片,是一款小电流、贴片高效恢复二极管。US1M的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。US1M采用GPP硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。US1M的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.7V,其中有2条引线。
US1M参数描述
型号:US1M
封装:SMA
特性:小电流、贴片
电性参数:1A 1000V
芯片材质:GPP
正向电流(Io):1A
芯片个数:1
正向电压(VF):1.7V
浪涌电流Ifsm:30A
漏电流(Ir):5uA
工作温度:-55~+150℃
恢复时间(Trr):100ns
引线数量:2
US1M小电流、贴片封装系列。它的本体长度为4.6mm,加引脚长度为5.28mm,宽度为2.9mm,高度为2.62mm,脚宽度为1.6mm。US1M有塑料包装保证实验室可燃性,内置应变消除装置,非常适合自动放置,玻璃钝化芯片结,快速切换实现高效率,高温焊接等特点。
以上就是关于US1M-ASEMI高效恢复二极管US1M的详细介绍。
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