一、用万用表测量 MOS 管好坏

利用场管内部的寄生二极管的单向导通特性对场管的好坏进行判断。

第一步 将三个脚进行短接放电

这样做的目的对场管内部的寄生电容进行放电,防止有压差,使它内部产生导通,使得测量有误。

第二步 测量内部二极管

万用表打到二极管档,然后用两个表笔对这个 MOS 管的漏极和源极进行正反向测量。

用万用表测量内部二极管,正向测量时应该有一个零点几伏的压降,反向应该截止,不符合的话,说明管子坏了。

对于 N 沟道场管:

对于 P 沟道场管:

一个好的 MOSFET 正向测量时内部二极管应该有 0.4V 至 0.9V 的压降(取决于MOSFET类型),如果压降为零,则 MOSFET 有缺陷,当读数为“开路”或无读数时,MOSFET也有缺陷。

当反向测量场管内部二极管时,压降应为“开路”或无读数。如果压降为零,则MOSFET有缺陷。

下图显示正向 N 沟道管源漏极之间的二极管有 0.52V 的压降:

反向测量内部二极管开路:

下图显示一个损坏的 N 沟道场管反向测量内部二极管有 0.404V 的压降:

第三步 测量其他引脚

还是二极管档,场管一共三个引脚,两两测量一共有六种组合。一个好的场管除了正向测量漏源极之间的二极管为有压降,其他任何引脚之间都不应该有压降。

二、MOS管引脚判断

MOS管有三个引脚,分别为源极(S),栅极(G)和漏极(D)。要判断MOS管的引脚,可以采用以下方法:

1. 通过数据手册:在MOS管的数据手册中,通常会有引脚布局图和引脚功能表,可以通过这些信息来判断MOS管的引脚。

2. 使用万用表进行测试:将万用表设置为测试二极管或场效应管的模式,再将测试笔分别接触MOS管的三个引脚,然后观察万用表的读数。如果读数为低电阻,表示测试笔接触的是阳极或漏极,如果读数为高电阻,表示测试笔接触的是栅极或源极。

3. 使用数字万用表进行测试:将数字万用表设置为测试二极管或场效应管的模式,再将测试笔分别接触MOS管的三个引脚,然后观察数字万用表的读数。如果读数为正值,表示测试笔接触的是源极,如果读数为负值,表示测试笔接触的是漏极,如果读数为接近于零的值,表示测试笔接触的是栅极。

4. 使用示波器进行测试:将示波器的探头分别接触MOS管的三个引脚,然后观察示波器上的波形。如果波形为正弦波或方波,表示测试笔接触的是源极或漏极;如果波形为脉冲波,表示测试笔接触的是栅极。

需要注意的是,在测试MOS管时,应当严格遵守安全操作规程,避免对设备和人员造成危害。测试时应当断开设备电源,确保测试环境的安全。

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