【半导体物理】笔记 柴常春 西安电子科技大学 更新ing...
绪论和预备知识
0.0 绪论
《半导体物理》讲了什么?
研究半导体材料受外界因素变化的原因和规律
什么是半导体?
- 按电阻率划分:
导体 | 半导体 | 绝缘体 | |
---|---|---|---|
电阻率ρ\rhoρ(Ω⋅cm\Omega·cmΩ⋅cm) | <10−310^{-3}10−3 | 10−3−10910^{-3}-10^{9}10−3−109 | >10910^{9}109 |
此外,半导体具有如下特性:
- 温度的升高可以显著提升半导体的导电能力
- 微量杂质的含量可以显著改变半导体的导电能力
- 光照可以显著改变半导体的导电能力
- 磁场和电场的改变可以显著改变半导体的导电能力
例如:100万个Si原子中,掺入一个杂质原子(99.999%纯度硅),在室温下(27°C,T = 300K )电阻率由214,000 Ω\OmegaΩ·cm 降低至 0.2 Ω\OmegaΩ·cm
半导体的定义:电阻率容易受光、热、磁、电及微量杂质含量变化而变化的材料。
0.1 化学键和晶体结构
0.1.1 基本概念
晶体
- 晶体具有一定规则的外形和固定的熔点,组成晶体的离子或原子(在较大的范围内,至少是 μm\mu mμm 数量级)都是按照一定的方式有规则地排列而成的(长程有序)。
- 非晶体无规则外形和固定熔点,内部也无长程有序,但是短程有序。
- 单晶是原子或离子的一种排列方式贯穿始终,而多晶由许多小晶粒杂乱堆积而成。
化学键
- 化学键:组成晶体的原子或离子之间的结合力
原子的负电性
- 原子的负电性:衡量原子对核外电子束缚能力的强弱的量,包括电离能和亲合能
- 电离能:原子失去价电子需要的能量
- 亲合能:由中性原子获取一个价电子成为负离子所释放的能量
- 原子的负电性 = (电离能 + 亲合能)× 0.18(使Li的亲合能为1)
- 负电性反映了原子相互键合时最外层电子得失的难易程度
- 负电性大 ⇒ 电离能大或亲合能大:电离能大说明电子很难挣脱原子束缚;亲合能大说明电子有较大能力获得外来电子。
- 结论:价电子总是向负电性大的原子转移。
ⅠA | ⅡA | ⅢB | ⅣB | ⅤB | ⅥB | ⅦB |
---|---|---|---|---|---|---|
Li1.0 | Be1.5 | B2.0 | C2.5 | N3.0 | O3.5 | F4.0 |
Na0,9 | Mg1.2 | Al1.5 | Si1.8 | P2.1 | S2.5 | Cl3.0 |
K0.8 | Ca1.0 | Ga1.5 | Ge1.8 | As2.0 | Se2,4 | Br2.8 |
In1.5 | Sn1.8 | Sb1.9 | Te2.1 | I2.6 |
- 同一行:左
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