RO,RW,ZI,FLASH,RAM前世今生

好久没写博客，-.-。

因为接触两个新的平台，芯翼和OPL，又发现对内存和flash分布的一些疑问，或许是自己根基不够稳吧，如果要搞清楚这些的意义，需要以下几个步骤:

2.RO,RW,ZI 是什么

3.flash，ram是什么

4.flash,ram和ro,rw,zi的关系

5.熟悉ARM程序启动流程

其实4和5是联系的，ARM程序的启动决定了flash,ram和ro,rw,zi的关系。

RO，RW，ZI是什么前面博文已经介绍过，

FLASH 一个是就是嵌入式系统的‘硬盘’，是存储器的一种，支持断电保存数据，可擦写，且速度快；

RAM 称为随机存取存储器，也是一种存储器，特点断电数据丢失，擦写数据快，就是我们称之为的‘内存’，存放全局变量，堆栈等数据；

相信很多人跟我一致有这种体会，网上一堆资料，逛了一圈后感觉自己已经掌握了又似乎没掌握，

我做了下总结，有不一致评论写一下：

关于第4点：

flash=ro+rw没有ZI

ram=rw+zi,因为ZI都是会被初始化为0，STM32(嵌入式系统平台大概率都是)启动后rw会从flash被拷贝到ram中执行，flash里的rw只存了初始值不为0的数据，ZI是没初始化和初始化为0的数据，ro因为包括代码段和常量，不会被拷贝到RAM，因为嵌入式RAM资源紧张，但是如果你的RAM够大也可通过技术手段将代码拷贝到RAM执行(我不会)。

上面介绍的是RW和ZI的执行，那么我们的RO呢，即code代码，以Cortex-M3为例，支持XIP模式，即代码都在flash中执行，有部分中断高频代码会拷贝到RAM中。

第5点参考链接:https://www.pianshen.com/article/4701173996/

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