常说的WAT测试是晶圆生产后,出晶圆厂前要经过一道电性测试(出货前第一次经过一套完整的电学特性测试流程)。通过WAT数据,可以监控到晶圆制造工序是否异常,产品是否符合该工艺技术平台的电性规格要求。

WAT测试结构(Test Pattern或Test Structure)不是设计在每个芯片内部,因为设计在内部会占用额外的芯片面积,以面积计算价钱的情况下显而易见增加了费用。

WAT测试结构设计在芯片与芯片之间的区域——划片槽(Scribe Line)。划片槽宽度在60um-150um(不清楚现在最小是不是60um,接触的foundry和书中是60um),芯片代工厂(foundry)依据芯片切割机器(Die Saw)的精度要求制定划片槽的宽度设计要求,力求做到最小宽度及最小面积。通常foundry对宽度也有一些要求,比如8英寸/某工艺可以申请60um,某工艺默认60um...

图a是整块晶圆产品上的芯片,每一个小格子代表一颗芯片;图b是放大后的图形,可以看到芯片间的Scribe Line;图c是显微镜下的芯片划片槽,白色的方块区域是顶层金属窗口,通常称为封装金属窗口(Bonding PAD),WAT测试结构在PAD与PAD之间,很多不同的测试结构组成一组测试模组,foundry会给每组测试模组定义一个名称,每一片晶圆会包含很多这样的不同的WAT测试模组。

但是某些特殊的产品,如功率器件(Power IC),为了充分利用晶圆的面积,增加每片晶圆上晶粒的数目,会尽量压缩切割道的面积,从而导致切割道太小,无法放置测试结构。当然,这类产品的制造工艺和电路设计一般都比较简单,所以不需要浪费面积设计测试结构,而是可以通过直接测试晶粒来完成WAT。

WAT测试结构通常包含该工艺技术平台的所有有源器件,无源器件和特定的隔离结构。(通俗的说就是需要电源才能显示其特性的就是有源元件,如MOS晶体管、二极管等。而不用电源就能显示其特性的就叫无源元件,电容、电阻、电感都是无源器件)。隔离结构包括有源区(AA)之间的隔离,多晶硅之间的隔离和金属之间的隔离。WAT参数是指有源器件、无源器件和隔离结构的电学特性参数。

WAT测试用途很多,一、作为质量检验依据后出货;二、评估工艺的变化趋势(如按生产时间排列,MOS管Vt数值是否有变化趋势),以此判断工艺稳定性;三、监测客户特别要求的器件结构是否符合电性要求;四、对WAT数据和良率(CP测试yield)做相关性,检查相关性最强的参数,找出有问题的工艺步骤;五、foundry内部检查晶圆可靠性(金属互连线电迁移和栅氧化层的寿命等);六、通过测试不同尺寸器件的WAT参数进行器件建模;七、测试和分析特定的WAT测试结构,改善工艺,或者开发下一代工艺技术平台。

根据CMOS工艺技术平台的特点,WAT测试分为8大类:MOS晶体管、栅氧化层的完整性(Gate Oxide Integrity, GOI)、多晶硅栅场效应晶体管、n型结(n-dibde结构)、P型结、方块电阻Rs、接触电阻Rc、隔离、金属电容(MIM Capacitor)和多晶硅电容(PIP Capacitor )。

资料参考:《集成电路制造工艺与工程应用》温德通,部分信息有根据实际学习做增加。

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