首先来解释一下四段号码的大概含义。

A

部分我想不用解释了吧,标明的是生产企业的名称——

SAMSUNG

B

部分说明的是该内存模组的生产日期,以三个阿拉伯数字的形式表现。其中第一个阿拉伯数字表明,生产的年份,

后面两位数字表明是在该年的第

XX

周生产的。例如,上图中的

446

就该表示该模组是在

04

年的第

46

周生产的。如

果三位数字是

532

,则表明该内存模组是

05

年第

32

周生产的。

C

部分说明的是该内存的封装类型,由一个英文字母表示。该部分将分别以

T

U

N

V

G

Z

几个字母来代表不同的

封装类型。

其中

T

代表是

TSOP2

封装,

U

表示

TOSP2

(

Lead-Free

)

封装,

N

表示

sTSOP2

封装,

V

表示

sTOSP2

(

Lead-Free

)

封装,

G

表示

FBGA

封装,

Z

表示

FBGA

(

Lead-Free

)封装。

D

部分说明是该内存模组的工作温度与功耗,由一个英文字母表示。该部分将以

C

L

两个字母来表示该内存颗粒的

不同工作温度与功耗。其中

C

表示该内存模组为大众商用型内存,普通功耗,工作温度在

0

°C~70

°C

之间;

L

表示

该内存模组也属于大众商业型,但却是低功耗,工作温度也在

0 °C~70 °C

之间。这部分标注为

L

的模组,在笔记

本内存中比较常见。

E

部分说明的是该内存模组的频率和各项延迟(即

CL-tRCD-tRP

),由两个英文字母或数字组成。该部分分别以

A0

B0

A2

B3

CC

这五个字母

/

数字组合来代表不同频率和延迟的

DDR

内存模组。其中,

A0

代表该模组的工作做频率

DDR-200

(

100MHz

),延迟为

2-2-2

B0

代表

DDR

266

(

133MHz

),延迟为

2.5-3-3

A2

代表

DDRDDR

266

(

133MHz

),

延迟为

2-3-3

B3

代表

DDR333

(

166MHz

),延迟为

2.5-3-3

CC

代表

DDR400

(

200MHz

),延迟为

3-3-3

F

部分实际上是由

8

个小部分组成的,分别表示该内存模组的类型、容量、位宽、接口类型、工作电压等等内容。详

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