GD32实战11__SPI FLASH

知识点

1. 理解SPI总线原理
2. 强化按时序图编程
3. 掌握FLASH

SPI原理

SPI(Serial Peripheral Interface)串行外设接口，是Motorola公司推出的一种同步串行接口技术。具体高速、全双工、同步的特点。总线本身并没有提供流控、应答确认和校验机制，需要特别注意。
如图，SPI是主从型总线有且只有一个主设备，可以有1个或多个从设备
SPI至少需要4根线，分别是
1. SCK 时钟信号，由主设备产生
2. MOSI (Master Out Slave In）主设备输出，从设备输入线
3. MISO (Master In Slave Out）主设备输入，从设备输出线
4. CS（可以有多根）片选信号线，用于控制跟哪个从设备通信
如图，因SPI同步双工串行的特性，其内部原理非常简洁

从上面，可以理解SPI的收发其实就是在时钟信号下采样过程，那么我们是在时钟的上升沿、下降沿、高电平、低电平采样呢？SPI按时钟极性(CPOL)和时钟相位(CPHA)分成4种模式用于控制时钟采样，通信双方模式必须一致，具体如下

模式	CPOL	CPHA
Mode0	0	0
Mode1	0	1
Mode2	1	0
Mode3	1	1

时钟极性CPOL是用来配置SCLK的电平出于哪种状态时是空闲态或者有效态，时钟相位CPHA
是用来配置在第几个边沿采样数据。
CPOL=0，表示当SCLK=0时处于空闲态，所以有效状态就是SCLK处于高电平时
CPOL=1，表示当SCLK=1时处于空闲态，所以有效状态就是SCLK处于低电平时
CPHA=0，表示数据采样是在第1个边沿，数据发送在第2个边沿
CPHA=1，表示数据采样是在第2个边沿，数据发送在第1个边沿
主机和从机的发送数据是同时完成的，两者的接收数据也是同时完成的。所以为了保证主从机正确通信，应使得它们的SPI具有相同的时钟极性和时钟相位。
SPI协议并没有规定数据一定是8位的，也可以是16位的，要看通信双方支持哪种。
传输时是高位先传还是低位先传，协议也没强制要求，也要看双方支持。

至此，SPI协议部分已经全部介绍完了，可见SPI非常的简洁高效，且弹性很大，需要结合具体的应用配置。

FLASH芯片手册导读

GD25Q40芯片是一款Nor FLash，Nor Flash的特点是以‘块’为操作的最小擦写单元，字节为最小读取单元。例如，该款芯片有512KByte=4094Kbit=4MBit，每页大小256Byte，每页就是Nand Flash的最下操作‘块’，具体如图

而且需要遵循先擦后写的操作。flash进行写操作时，只能将相应的位由1变0，而擦除才能把块内所有位由0变1。所有写入数据时，如果该页已经存在数据，必须先擦除再写。

既然Flash有如此特性，芯片是如何管理该芯片的呢？如下图，芯片通过一个命令和逻辑控制器与真正的存储空间进行交互，也可以这么理解，外部MCU要通过SPI总线，向FLASH芯片发送各式各样的命令来控制芯片的读写擦操作。

具体命令如下，命令很多，初看有点眼花，可以先看我标红的几个命令，可以看出，命令无非是写使能/去使能，读芯片状态，读数据，写数据，擦除命令。再仔细看其他命令也无法这几类，只是在不同模式的下操作罢了。注：此处提到的模式时芯片提供的，例如快速读写模式等等，有兴趣可阅读芯片手册，我选的是标准模式。

最后，只要安装命令的时序要求写成代码就可以了，具体时序在下面说。

通过SPI读写FLASH

用SPI总线读写FLASH芯片是非常常见的应用

硬件设计

软件设计

GD32是支持SPI控制器的，为了加深对SPI协议的理解，我会软件模拟一个SPI，也会用SPI控制器来实现一个，毕竟在实际应用中多少用硬件SPI控制器的。

软件GPIO模拟SPI

从手册里可以查到，支持mode 0和3，此处我选mode 0，即CPOL和CPHA都为0。

注意，时序参数要求必须按照手册描述写，如下

参考上表，我把延时时间固定5us，这样代码会简单很多，且满足了上述ns级最小延时的要求，虽然有几项有最大时间要求，却不影响我们编码。代码如下：

U8 DRV_SPI_SwapByte(IN U8 byte)
{U8 i = 0;U8 inDate = byte;U8 outBit = 0;U8 outDate = 0;/* SCKPL = 0; SCKPH = 0 */for (i = 0; i < 8; i++){if (inDate & 0x80){SPI_MOSI_HIGH;}else{SPI_MOSI_LOW;}SPI_Delay(5);SPI_SCK_HIGH;outBit = SPI_MISO_READ;if (outBit){outDate |= 0x1;}SPI_Delay(5);SPI_SCK_LOW;SPI_Delay(5);inDate <<= 1;if (i <7){outDate <<= 1;}}return outDate;
}

硬件SPI

详细阅读SPI配置部分代码，与前面原理部分说的完全一致，且参数GD32手册里也有详细说明。

U8 DRV_SPI_SwapByte(IN U8 byte)
{while (SPI_I2S_GetBitState(SPI1, SPI_FLAG_TBE) == RESET);SPI_I2S_SendData(SPI1, byte);while (SPI_I2S_GetBitState(SPI1, SPI_FLAG_RBNE) == RESET);return SPI_I2S_ReceiveData(SPI1);
}static VOID SPI_Configuration(VOID)
{SPI_InitPara  SPI_InitStructure;RCC_APB2PeriphClock_Enable(RCC_APB2PERIPH_SPI1, ENABLE);  SPI_InitStructure.SPI_TransType = SPI_TRANSTYPE_FULLDUPLEX;SPI_InitStructure.SPI_Mode = SPI_MODE_MASTER;SPI_InitStructure.SPI_FrameFormat = SPI_FRAMEFORMAT_8BIT;SPI_InitStructure.SPI_SCKPL = SPI_SCKPL_LOW;SPI_InitStructure.SPI_SCKPH = SPI_SCKPH_1EDGE;SPI_InitStructure.SPI_SWNSSEN = SPI_SWNSS_SOFT;SPI_InitStructure.SPI_PSC = SPI_PSC_32; SPI_InitStructure.SPI_FirstBit = SPI_FIRSTBIT_MSB;SPI_InitStructure.SPI_CRCPOL = 7;SPI_Init(SPI1, &SPI_InitStructure);SPI_Enable(SPI1, ENABLE);
}

FLASH芯片操作

写使能，图中1,2,3步所示，代码也是按这个时序写的，下面的命令就不再画图说明了
```
static VOID GD25Q40_WriteEnable(VOID)
{GD25Q40_CS_LOW();DRV_SPI_SwapByte(WREN);GD25Q40_CS_HIGH();
}
```

等待写操作结束，代码使用的是05H，所以只回一个字节

static VOID GD25Q40_WaitForWriteEnd(VOID)
{U8 FLASH_Status = 0;GD25Q40_CS_LOW();DRV_SPI_SwapByte(RDSR);do{FLASH_Status = DRV_SPI_SwapByte(Dummy_Byte);}while ((FLASH_Status & WIP_Flag) == SET); /* Write in progress */GD25Q40_CS_HIGH();
}

Sector擦除，擦除可以理解为一个特殊的写过程，即写FF的过程，所以在下一个操作之前需要等待写完成

VOID DRV_GD25Q40_SectorErase(U32 SectorAddr)
{GD25Q40_WriteEnable();GD25Q40_CS_LOW();DRV_SPI_SwapByte(SE);DRV_SPI_SwapByte((SectorAddr & 0xFF0000) >> 16);DRV_SPI_SwapByte((SectorAddr & 0xFF00) >> 8);DRV_SPI_SwapByte(SectorAddr & 0xFF);GD25Q40_CS_HIGH();GD25Q40_WaitForWriteEnd();
}

Block擦除

VOID DRV_GD25Q40_BulkErase(VOID)
{GD25Q40_WriteEnable();GD25Q40_CS_LOW();DRV_SPI_SwapByte(BE);GD25Q40_CS_HIGH();GD25Q40_WaitForWriteEnd();
}

读数据，读的时候可以指定任意地址读，且可以按字节读

VOID DRV_GD25Q40_BufferRead(U8* pBuffer, U32 ReadAddr, U16 NumByteToRead)
{GD25Q40_CS_LOW();DRV_SPI_SwapByte(READ);DRV_SPI_SwapByte((ReadAddr & 0xFF0000) >> 16);DRV_SPI_SwapByte((ReadAddr& 0xFF00) >> 8);DRV_SPI_SwapByte(ReadAddr & 0xFF);while (NumByteToRead--) {*pBuffer = DRV_SPI_SwapByte(Dummy_Byte);pBuffer++;}GD25Q40_CS_HIGH();
}

按页写

VOID DRV_GD25Q40_PageWrite(U8* pBuffer, U32 WriteAddr, U16 NumByteToWrite)
{GD25Q40_WriteEnable();GD25Q40_CS_LOW();DRV_SPI_SwapByte(WRITE);DRV_SPI_SwapByte((WriteAddr & 0xFF0000) >> 16);DRV_SPI_SwapByte((WriteAddr & 0xFF00) >> 8);DRV_SPI_SwapByte(WriteAddr & 0xFF);while (NumByteToWrite--){DRV_SPI_SwapByte(*pBuffer);pBuffer++;}GD25Q40_CS_HIGH();GD25Q40_WaitForWriteEnd();
}

写入一段buf，该接口是在按页的基础上，增加是否换页写的封装接口

VOID DRV_GD25Q40_BufferWrite(U8* pBuffer, U32 WriteAddr, U16 NumByteToWrite)
{U8 NumOfPage = 0, NumOfSingle = 0, Addr = 0, count = 0, temp = 0;Addr = WriteAddr % GD25Q40_PageSize;count = GD25Q40_PageSize - Addr;NumOfPage =  NumByteToWrite / GD25Q40_PageSize;NumOfSingle = NumByteToWrite % GD25Q40_PageSize;/* WriteAddr is GD25Q40_PageSize aligned  */if (Addr == 0){   /* NumByteToWrite < GD25Q40_PageSize */if (NumOfPage == 0) {DRV_GD25Q40_PageWrite(pBuffer, WriteAddr, NumByteToWrite);}else /* NumByteToWrite > GD25Q40_PageSize */{while (NumOfPage--){DRV_GD25Q40_PageWrite(pBuffer, WriteAddr, GD25Q40_PageSize);WriteAddr +=  GD25Q40_PageSize;pBuffer += GD25Q40_PageSize;}DRV_GD25Q40_PageWrite(pBuffer, WriteAddr, NumOfSingle);}}else /* WriteAddr is not GD25Q40_PageSize aligned  */{if (NumOfPage == 0){/* (NumByteToWrite + WriteAddr) > GD25Q40_PageSize */if (NumOfSingle > count) {temp = NumOfSingle - count;DRV_GD25Q40_PageWrite(pBuffer, WriteAddr, count);WriteAddr +=  count;pBuffer += count;DRV_GD25Q40_PageWrite(pBuffer, WriteAddr, temp);}else{DRV_GD25Q40_PageWrite(pBuffer, WriteAddr, NumByteToWrite);}}else /* NumByteToWrite > GD25Q40_PageSize */{NumByteToWrite -= count;NumOfPage =  NumByteToWrite / GD25Q40_PageSize;NumOfSingle = NumByteToWrite % GD25Q40_PageSize;DRV_GD25Q40_PageWrite(pBuffer, WriteAddr, count);WriteAddr +=  count;pBuffer += count;while (NumOfPage--){DRV_GD25Q40_PageWrite(pBuffer, WriteAddr, GD25Q40_PageSize);WriteAddr +=  GD25Q40_PageSize;pBuffer += GD25Q40_PageSize;}if (NumOfSingle != 0){DRV_GD25Q40_PageWrite(pBuffer, WriteAddr, NumOfSingle);}}}
}

功能测试举例

VOID APP_SPI_Test(VOID)
{U32 Manufact_ID = 0;U8  Tx_Buffer[256];U8  Rx_Buffer[256];U16 i = 0;DRV_GD25Q40_Init();printf("\n\rGD32103C-EVAL-V1.1 SPI Flash: configured...\n\r");Manufact_ID = DRV_GD25Q40_ReadID();printf("\n\rThe Flash_ID:0x%X\n\r", Manufact_ID);if (Manufact_ID == sFLASH_ID)   {printf("\n\rWrite to Tx_Buffer:\n\r");for(i=0; i<=255; i++)    {Tx_Buffer[i] = i;printf("0x%02X ",Tx_Buffer[i]);if(i%16 == 15){printf("\n\r");}}printf("\n\rRead from Rx_Buffer:\n\r");DRV_GD25Q40_SectorErase(FLASH_WriteAddress);DRV_GD25Q40_BufferWrite(Tx_Buffer,FLASH_WriteAddress, 256);APP_Delay(10);DRV_GD25Q40_BufferRead(Rx_Buffer,FLASH_ReadAddress, 256);  for(i=0; i<=255; i++) { printf("0x%02X ", Rx_Buffer[i]);if(i%16 == 15){printf("\n\r");}}printf("\n\rSPI Flash: Initialize Successfully!\n\r");}else{printf("\n\rSPI Flash: Initialize Fail!\n\r");}}

补充，Nor Flash和Nand Flash

结构方面
1. Nor Flash采用内存的随机读取技术。各单元之间是并联的，对存储单元进行统一编址，所以可以随机访问任意一个字。既然是统一编址，Nor Flash就可以芯片内执行，即应用程序可直接在flash内运行，而无需先拷贝到RAM。
2. Nand Flash数据线和地址线共用I/O线，需额外联接一些控制的输入输出。
读写速度方面
1. Nor Flash有更快的读取速度
2. Nand Flash有更快的写、擦除速度。
寿命（耐用性）
1. Flash写入和擦除数据时会导致介质的氧化降解。这方面Nor Flash尤甚，所以Nor Flash不适合频繁擦写。
2. Nor的擦写次数是10万次，Nand的擦写次数是100万次。
坏块处理
1. Nand器件的坏块是随机分布的，在使用过程中，难免会产生坏块。所以在使用时要进行坏块管理以保障数据可靠。
成本和容量
1. 在面积和工艺相同的情况下，Nand的容量比Nor大的多，成本更低。
2. Nor Flash可直接通过程序编程，根据地址直接读取，容量一般是M级别的
3. Nand Flash是根据数据块来设计的，所有Nand Flash容量更大，一般是G级别的。
易用性
1. Nor Flash有专用的地址引脚来寻址，较容易和其他芯片联接，还支持本地执行。
2. Nand Flash的IO端口采用复用的数据线和地址线，必须先通过寄存器串行地进行数据存取。各厂商对信号的定义不同，增加了应用的难度。
编程角度
1. Nor Flash采用统一编址（有独立地址线），可随机读取每个“字”，但NOR flash不能像RAM以字节改写数据，只能按“页”写，故Nor Flash不能代替RAM。擦除既可整页擦除，也可整块擦除。
2. Nand Flash共用地址线和数据线，页是读写数据的最小单元，块是擦除数据的最小单元。
3. 另外，Flash进行写操作时，只能将相应的位由1变0，而擦除才能把块内所有位由0变1。所有写入数据时，如果该页已经存在数据，必须先擦除再写。

代码路径

https://github.com/YaFood/GD32F103/tree/master/TestSPI
https://gitee.com/YaFOOD/GD32F103/tree/master/TestSPI