MOS管的三个二级效应与亚微米级别现象

到目前为止,在分析MOS的结构时,我们引人了各种简化假设,其中有些在许多模拟电路中是不成立的。在这一节,我们将介绍后续电路分析中不可缺少的三个二级效应。在亚微米器件中出现的其它现象将在第16章中学习。

衬偏效应

1.衬偏效应
在很多情况下，源极和衬底的电位并不相同。对NMOS管而言，衬底通常接电路的最低电位，有VBS≤0；对PMOS管而言，衬底通常接电路的最高电位，有VBS≥0。这时，MOS管的阈值电压将随其源极和衬底之间电位的不同而发生变化。这一效应称为“背栅效应”。
①阈值电压升高（主要的）
MOSFET在出现沟道（反型层）以后，虽然沟道下面的耗尽层厚度达到了最大（这时，栅极电压即使再增大，耗尽层厚度也不会再增大）；但是，衬偏电压是直接加在源-衬底之间的反向电压，它可以使场感应结的耗尽层厚度进一步展宽，并引起其中的空间电荷面密度增加，从而导致器件的阈值电压VT升高。而阈值电压的升高又将进一步影响到器件的Ids及其整个的性能，例如栅极跨导降低等。衬底掺杂浓度越高，衬偏电压所引起的空间电荷面密度的增加就越多，则衬偏效应就越显著。例如，p阱-CMOS中的n-MOSFET，它的衬偏效应就要比p-MOSFET的严重得多。

MOS管的三个二级效应与亚微米级别现象相关推荐

MOS管开关时的米勒效应
一.MOSFET的开通过程 MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程,当给栅极施加驱动电压后,MOSFET开通过程会分为4个阶段 ...
三硝基溴硼亚酞菁(BTNSubPc)齐岳生物介绍酞菁溶解度，定制多种酞菁材料
三硝基溴硼亚酞菁(BTNSubPc)齐岳生物介绍酞菁溶解度,定制多种酞菁材料酞菁及其相关衍生物均为单斜晶体.酞菁环为二维结构,其键长和键角只受中心金属原子的影响.通过红外和电子自旋共振光谱检测表明酞 ...
什么是事务、事务的四个特性ACID、不考虑隔离性会导致的三个问题、四种隔离级别
什么是事务.事务的四个特性ACID.不考虑隔离性会导致的三个问题.四种隔离级别 1 什么是事务 2 事务的四大特性ACID 2.1 原子性 2.2 一致性 2.3 隔离性 2.4 持久性 3 不考虑隔 ...
《刷新》精髓：微软第三任CEO萨提亚•纳德拉重新发现微软灵魂的传奇历程，给了我们普通人哪些启示？
<刷新>书中的精髓:微软第三任CEO萨提亚•纳德拉重新发现微软灵魂的传奇历程,给了我们普通人哪些启示? 在未来,人工智能助理会在工作上,协助你完成待办事项中优先事务.借助人工智能我们的生活 ...
MOS管的原理及其米勒效应（学习笔记）
一.MOS管的组成及其原理在讲解MOS的组成之前我们先来了解一下N型半导体和P型半导体. N型半导体是在纯净的硅晶体中掺入了5价磷,此时磷原子最外层多出来了一个自由电子,因为自由电子带负电,所以我们 ...
MOS管开关时的米勒效应——详细分析
前言对于MOSFET,米勒效应(Miller Effect)指其输入输出之间的分布电容(栅漏电容)在反相放大作用下,使得等效输入电容值放大的效应.由于米勒效应,MOSFET栅极驱动过程中,会形成平台 ...
详说MOS管开关时的米勒效应
米勒平台形成的基本原理 MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程:当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态:当M ...
功率MOS管烧毁的原因(米勒效应)
转载--电源研发精英圈 2019-07-09 20:00 mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程).导通状态.关断过程(由导通到截止的过渡过程).截止状态. Mos主要损耗也 ...
版图提取的spice网表中参数含义及二级效应STI/WPE
寄生电阻.寄生电容可以从版图提出的.sp文件中看, ad area of drain 面积 as area of source pd perimeter of drain 周长,PS PD周长都不 ...

MOS管的三个二级效应与亚微米级别现象

衬偏效应

MOS管的三个二级效应与亚微米级别现象相关推荐

最新文章

热门文章