根据测量方法，将桥梁分为平衡桥梁和非平衡桥梁。 平衡电桥虽然都能精确测量电阻，但只能测量相对稳定的电阻值，非平衡电桥可以连续测量不同的电阻值。

1、平衡电桥

惠斯登桥(平衡桥)的原理载于图1。 通过调节 r3使检流计 g 不受电流流动和 c、 d 等电位的影响来平衡电桥

2、 非平衡电桥

不平衡桥又称不平衡桥或差速桥。 无花果。 2是带有Rg的不平衡桥的示意图。 当用非平衡桥测量电阻时，B、D和R3之间的负载电阻保持不变，当Rx(即Rx)时。 改变，它U0改变。 然后根据U0和Rx之间的函数关系，得到Rx。 是通过检测变化来测量的，因为连续变化可以检测到U0，连续Rx。 可以被检测到

(1)非平衡通过电桥的桥路形式

1)等臂电桥

四个相等的电阻桥臂，即R1 = R2 = R3 = R4。

2)输出信息对称交流电桥，也称卧式电桥

在这种情况下，电阻桥臂是对称于输出端子，即，R1 = R3 = R，R 2 = R 4 = R”。而R≠R”。

3)电源对称桥，又称垂直桥

这时从电桥的电源端看桥臂电阻进行对称，即R1=R2=R′，R3=R4=R，且R≠R′。

4)比例电桥

在这个臂成即R1 = KR2，R3 = K R 4或R 1 = K R3，R2 = K R4的电阻一定的比例关系，...，K是比例因子。事实上，这是一个非平衡电桥的一般形式。

(2)Rg相对桥臂电阻具有很大时的非平衡电桥(电压进行输出不同形式)

当负载电阻 rg →∞时，即桥路输出处于开路状态，ig 0，只有输出电压 u 0。 Abc 半桥的电压降是我们(即电源电压)。 根据电压分压原理，通过 r1和 r3臂的电流

当满足条件R2R3=R1R4时，该桥的输出U0R2R3=R1R4为0，即该桥处于平衡状态。 为了测量精度，在测量的起点，必须将桥架调整到平衡状态，称为预调平衡。 预调平衡可以使输出只与一个臂的电阻变化有关。 当R1、R2和R3固定时，R4是待测电阻。 当R4由于外界条件(如温度)的变化而变成R4△R时，由电桥引起的输出电压不再平衡

注意：上面(7)～(9)式中的R和其R′ 均为预调平衡后的电阻。此外，当电阻进行增量△R较小时，即满足△R《《R时，上面(7)～(9)三式的分母中含△R项可略去，公式可得以实现简化，这里可以从略。

一般企业来说，等臂电桥和输出信息对称电桥的输出工作电压比电源对称电桥高，因此具有灵敏度也高，但电源对称电桥的测量研究范围大，可以同时通过自己选择R和R′ 来扩大测量数据范围，R和R′ 差距愈大，测量技术范围也愈大。

当使用非平衡电阻测量电桥，测得电阻Rx需要臂R4不平衡电桥连接，并且预调整平衡，电桥输出电压为零。不断变化的外部条件(例如，温度t)，测得的电阻变化，则电桥输出电压U0≠0，开始做相应的改变。测得的电压U0后，△R可被根据(7)至(9)的计算，从而获得的Rx = R4 +△R.获得

当负载电阻与臂电阻相当时，桥不仅具有输出电压Ug，而且具有输出电流Ig，即输出功率，也称为功率桥。 电源桥可以表示为图3(A)。

有源端口网络定理的应用，可以简化电力桥3(b)是在图中所示的电路。在BD中，由式(5)表示的间UBD开路电压，R“是等效的网络分支电阻的活性末端，其等于所述网络终端电阻Rr的值，则参照图3( C)，即

3、半导体热敏电阻(2.7kΩ MF51型)

2.7kΩ MF51型半导体热敏电阻，是由一些社会过渡金属氧化物(主要用Mn、Co、Ni和Fe等氧化物)在一定的烧结技术条件下发展形成的半导体金属氧化物作为一个基本信息材料加工制成，具有P型半导体的特性。对于企业一般通过半导体纳米材料，电阻率随温度环境变化研究主要包括依赖于载流子浓度，而迁移率随温度的变化情况相对简单来说我们可以选择忽略。但上述问题过渡金属氧化物则有所了解不同，在室温范围内活动基本上已全部电离，即载流子浓度基本上与温度控制无关，此时系统主要因素考虑迁移率与温度的关系。随着中国温度不断升高，迁移率增加，电阻率下降，故这类金属氧化物半导体是一种方法具有负温度系数的热敏电阻元件，其电阻—温度数据特性分析见表1。

根据理论分析，半导体热敏电阻电阻温度特性的数学表达式可以表示为

分别为25，其中R25和Rt℃和热敏电阻的电阻当t℃，T = 273 +吨; BN是材料常数，其使治疗而变化时的值将变化，热敏电阻确定为实验测得的电阻 - 获得的温度曲线。我们也(19)写的比较简单的表达