EVG实现芯片到晶圆的融合和混合键合
成功的全系统芯片到晶圆转移表明在实现工艺成熟度方面向前迈出了重要一步
晶圆键合和光刻专家 EVG 在芯片到晶圆 (D2W) 融合和混合键合方面取得了突破。
它已成功展示了使用 EVG 的 GEMINI FB 自动混合键合系统在单次转移过程中使用完整的系统 3D 片上系统 (SoC) 实现的多个不同尺寸芯片的 100% 无空洞键合良率。
直到今天，这样的成就一直是 D2W 绑定的关键挑战，也是降低实施异构集成成本的主要障碍。这一重要的行业成就是在 EVG 异构集成能力中心 (HICC) 取得的，该中心旨在帮助客户利用 EVG 的工艺解决方案和专业知识，加速开发新的和差异化的产品和应用，这些产品和应用是由系统集成和封装的进步所推动的。
公司高管将在本周于 7 月 12 日至 14 日在加利福尼亚州旧金山的 Moscone 中心举行的 SEMICON West 上讨论这一 D2W 键合突破。
人工智能 (AI)、自动驾驶、增强/虚拟现实和 5G 等应用都需要在不增加生产成本的情况下开发高带宽、高性能和低功耗的设备。
因此，半导体行业正在转向异构集成——将具有不同特征尺寸和材料的多个不同组件或裸片制造、组装和封装到单个器件或封装上——以提高新一代器件的性能。 D2W混合键合是异构集成的关键制造技术。然而，随着这些设备不断提高的带宽需求推动了更新的封装技术，也需要 D2W 混合键合和计量方面的新发展。
EV Group 业务发展总监 Thomas Uhrmann 表示：“混合键合需要与标准封装工艺大不相同的制造技术，使其更接近前端制造——尤其是在清洁度、颗粒控制、对准和计量精度方面。”
“在我们已建立的 GEMINI FB（已配置用于集体 D2W 集成流程并已满足 D2W 键合需求数年）之间，EVG 320 D2W 芯片准备和激活系统用于直接放置 D2W 键合，它提供与 D2W 的直接接口键合机和 EVG 40 NT2 覆盖计量系统，它使用 AI、前馈和反馈回路来进一步提高混合键合良率，EVG 提供了完整的端到端混合键合解决方案，以加速 3D/异构集成的部署。 ”
由于混合键合中的界面是固态的，带有嵌入式金属焊盘以实现晶圆和芯片的面对面电气连接，因此 D2W 混合键合需要与前端半导体制造工艺类似的严格清洁度标准和制造公差.这一趋势也使高精度计量在控制混合键合对准和工艺良率方面发挥更核心的作用，这反过来又推动了 D2W 键合和计量工艺集成到一条工艺线中。
此外，目前正在评估几种不同的 D2W 混合键合工艺流程，每种工艺流程都具有独特的优势和要求。
自两年前成立以来，EVG 的 HICC 在帮助客户和合作伙伴开发和优化 D2W 混合键合工艺以满足其给定器件设计和应用的独特需求方面发挥了关键作用，同时考虑了各种因素，如裸片尺寸、裸片厚度、总堆叠高度以及接口考虑因素，例如触点设计和密度。 HICC 还拥有最先进的洁净室，其洁净度标准与许多领先的半导体工厂相当——使 EVG 能够以独特的方式支持 D2W 和 W2W 混合键合工艺开发的严格要求。
EV Group 企业技术开发和 IP 总监 Markus Wimplinger 表示：“HICC 已稳固地确立了自己作为新型工艺解决方案（例如 D2W 混合和熔合键合）的卓越中央开放式孵化器的地位。”
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