绪论

IDM ：集成电路制造商（Integrated Device Manufactory），集设计、制造和封装测试于一体，如Intel、Samsung

Fable ：只做芯片设计，如高通、海思

Foundry : 标准工艺加工、代客加工，没有自己的产品台积电中芯国际

MOSFET的工艺流程简介

1、硅片清洗和打标记

2、氧化硅生长（保护硅片和掩膜层）氧化：Si平面工艺的关键

3、光刻

4、腐蚀：HF去除养护层oxide

5、栅氧生长：干氧氧化工艺

6、多晶硅栅作为掩膜，刻蚀氧化膜

7、S和D形成：掺杂工艺：离子注入

8、淀积绝缘层：SiN SiO2 工艺：CVD

9、金属化：接触孔、通孔及互连材料：Al，Cu 工艺：PVD CVD

第一章 Si单晶及Si片的制备

米勒指数 ：用来描述晶体晶面晶向的参数

CMP ：Chemical Mechanical Polishing 化学机械抛光：化学作用和机械作用相结合的技术

第二章氧化

选择扩散 ：杂质在SiO2中的扩散速度远小于Si中的扩散速度

Si的热氧化 ：在高温条件下，硅片与氧气或水汽等氧化剂的化学反应生成SIO2

干氧氧化 ：高温下，氧气与硅片反应生成SIO2

水汽氧化 ：高温下，硅片与高纯水蒸气反应生成SIO2

湿氧氧化 ：氧气中携带一定量的水汽

附面层 ：速度及浓度分布受到扰动的区域，也称为滞留区

第三章扩散

掺杂：将所需要的杂质，以一定的方式掺入到半导体基片规定的区域内，并达到规定的数量和符合要求的分布

扩散：将掺杂杂质导入放有硅片的高温炉中，从而达到将杂质扩散到硅片的目的

间隙式扩散 ：杂志在晶格的间隙中运动

替位式扩散 ：杂志原子从一个晶格点替位位置运动到另外一个替位位置

恒定表面源扩散/恒定表面浓度扩散 ：在扩散过程中，Si表面的杂质浓度始终保持不变

有限表面源扩散/恒定杂质总量扩散 ：在扩散过程中，杂质源限定于扩散前淀积在晶片表面极薄层内的杂质总量Q，没有补充，也不会减少

预淀积（预扩散） ：在较低温度（800-900）温度下，短时间浅结恒定源扩散，即–

再分布（主扩散） ：将预淀积的晶片在较高温度下（1000-1200）进行深结扩散，最终达到所要求的表面浓度及结深，即—

OED ：氧化增强扩散

发射区推进（陷落）效应 ：NPN管的工艺中，发射区下方的内基区B的扩散深度大于发射区外的基区扩散浓度

二维扩散（横向扩散） ：杂质在垂直Si表面扩散的同时，也进行平行Si表面的横向扩散

结深xj ：pn结的几何位置与扩散层表面的距离

方块电阻 ：结深为xj的一个正方形扩散层的薄层电阻

第四章离子注入

离子注入 ：将带电的、且具有能量的离子入射到衬底中

剂量Q ：单位面积硅片表面注入的离子数

注入能量E ：离子注入的能量用电子电荷与电势差的乘积来表示，单位是Kev

能量损失机制 1）核阻挡：与晶格原子的原子核碰撞低能量主要作用2）电子阻挡：与晶格原子的自由电子及束缚电子碰撞高能量下起主要作用

LSS理论 ：注入离子在靶内的分布理论

总射程R ：注入离子在靶内走过的路程之和

投影射程Xp ：总射程R在离子入射方向（垂直靶片）的投影长度，即离子注入的有效深度

平均投影射程Rp ：投影射程Xp的平均值（离子注入深度的平均值），具有统计分布规律-几率分布函数

标准偏差（投影偏差） delta Rp 反映了Rp的分散程度（分散宽度）

阴影效应 ：注入离子受到掩膜的阻挡

位移阈值Ed ：靶原子离开其平衡位置所需要的最低能量

快速退火 RTA rapid thermal annealing ：利用高功率密度的位置作用于晶片表面，使注入层在短时间内达到高温，以达到消除损伤的目的

第五章物理气相淀积

介电薄膜（SiO2 SiN） ：用来隔离导电层，作为扩散及离子注入的掩蔽膜，或是防止掺杂物的流失，或用来覆盖器件免受杂质，水汽或刮伤的损害

多晶硅（polysilicon） ：MOS器件的栅淀积材料，多层金属导通材料或浅结的接触材料

金属薄膜 （铝、铜或金属硅化物）：形成低阻值金属连线，欧姆接触及整流金-半接触

氧化：二氧化硅薄膜的一种特定生长技术

外延：在半导体单晶衬底上生长半导体单晶薄膜

PVD ：利用蒸发或溅射等物理过程实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜

电子束蒸发 ：电子轰击蒸发材料，使其融化蒸发

蒸发：在真空系统中，金属原子获得足够的能量后便可以脱离金属表面的束缚称为蒸汽原子，淀积在晶片上

溅射：真空系统中充入一定的惰性气体，在高压电场的作用下，气体放电形成的离子被强电场加速，轰击靶材料，使靶原子逸出并被溅射到晶片上

射频溅射或RF溅射 ：高频电场经其他阻抗形式耦合进入淀积室

磁控溅射 ：磁场在靶材表面与电场垂直，电子沿电场方向加速、绕磁场方向螺旋前进，提高了电子碰撞电离效率

反应溅射：纯金属靶材，通入反应气体，生成特定的化合物

偏压溅射：在衬底与靶材之间加偏压，以改变入射到衬底表面的带点粒子的数量和能量

带准直器的溅射 ：将大角度溅射的中性原子吸附在准直器的侧壁或表面上，小角度的才能通过

第六章化学气相淀积

化学气相淀积（CVD）Chemical Vapour Deposition ：一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术

APCVD 常压CVD ：气相淀积在1个大气压下进行

LPCVD 低压CVD ：在27-270Pa压力下进行化学气相淀积

**PECVD 等离子CVD ** ：RF激活气体分子（等离子体），使其在低温（室温）下发生化学反应，淀积成膜

保型覆盖：所有图形上淀积的薄膜厚度相同，也称共性覆盖

第七章外延工艺

外延：在单晶衬底上，按衬底晶向生长一层新的单晶薄膜的工艺技术

外延层 ：衬底上新生张的单晶层

外延片 ：生长了外延层的衬底片

气相外延VPE 液相外延LPE 固相外延SPE

分子束外延MBE Molecular Beam Epitaxy：超高真空下，利用薄膜组分元素受热蒸发所形成地原子束或分子束，直接射到衬底表面，形成外延层

同质外延 :外延层与衬底材料相同

异质外延：外延层与衬底材料不同

常压外延 ：100kPa

低压（减压）外延：5-20kPa

扩散效应 ：衬底杂质与外延层杂质相互扩散，导致界面处杂质再分布

自掺杂效应（非故意掺杂）：衬底杂志及其他来源杂质非人为地掺入外延层

选择性外延（SEG）：在特定区域有选择地生长外延层

横向（超速）外延（ELO）：选择性外延地薄膜超过SiO2掩膜地台阶，开始横向外延

SOI Silicon On Insulator 绝缘层上硅

SOS：；蓝宝石上硅或尖晶石上硅

层错：由于原子排列次序发生错乱而产生地缺陷

第八章光刻工艺

光刻：通过光化学反应，将光刻板（mask)上地图形转移到光刻胶上

光刻掩模版：印制了集成电路版图图形的石英板

光刻胶Photoresist ：PR，光致抗蚀剂、光阻

光刻的工艺流程

1、清洗硅片 2、预烘和打底胶 3、涂胶 4、前烘 5、对准 6、曝光 7、后烘 8、显影 9、竖膜 10、图形检测

分辨率R ：表征光刻精度，即光刻时所得到的光刻图形的最小尺寸

数值孔径NA：表示凸镜收集衍射光的能力

光刻胶对比度：描述光刻胶的曝光性能

调制转移函数CMTF：描述光刻胶图形质量

PSM移相掩膜

stepper步进-重复曝光

scanner 步进-扫描曝光

OPC光学邻近修正

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集成电路制造及工艺主要名词解释

绪论

第一章 Si单晶及Si片的制备

第二章氧化

第三章扩散

第四章离子注入

第五章物理气相淀积

第六章化学气相淀积

第七章外延工艺

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