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SBT30100VCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是94MIL,是一款超低压降低功耗肖特基二极管。SBT30100VCT的浪涌电流Ifsm为250A,漏电流(Ir)为8uA,其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT30100VCT采用金属硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。SBT30100VCT的电性参数是:正向电流(Io)为30A,反向耐压为100V,正向电压(VF)为0.52V,其中有3条引线。

SBT30100VCT参数描述

型号:SBT30100VCT

封装:TO-220AB

特性:超低压降低功耗

电性参数:30A 100V

芯片材质:金属硅芯片

正向电流(Io):30A

芯片个数:2

正向电压(VF):0.52V

芯片尺寸:94MIL*2

浪涌电流Ifsm:250A

漏电流(Ir):8uA

工作温度:-65~+150℃

引线数量:3

SBT30100VCT插件封装系列。它的本体长度为16.46mm,加引脚长度为30.36mm,宽度为10.5mm,高度为4.8mm,脚间距为2.79mm。

以上就是关于SBT30100VCT-ASEMI肖特基二极管SBT30100VCT的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

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