1.1 NAND介绍

一. NAND

是一种电压元件，因此它是以不同的电压范围来代表不同的数据。NAND根据不同品质划分等级，依次为正片、白片、黑片

正片：NAND原厂颗粒及原厂封装，或品牌方购买原厂颗粒后自己封装。

白片：原厂或品牌方封好的正片中，仍会有部分再次检测有瑕疵的颗粒。

黑片：在原料筛选的初级阶段便被定为有问题的部分，实际上应该被弃用的原料，但是...

NAND cell 有SLC/MLC/TLC/QLC/PLC:

Type	bit	erase life	Description
SLC	1	100000	寿命长，速度快，读写精确，质量好，价格贵
MLC	2	10k	主要用于工业存储
TLC	3	3k - 10k	主流SSD使用
QLC	4	150	低端大容量SSD使用
PLC	5	？	寿命短，速度慢，价格低

这个erase life只是理论上的安全值，比如TLC erase life这里写3k，实际上NAND质量加上封装技术最后的都达到非常高，比如国产原厂NAND颗粒+原厂的封装能达到10k，普通人可能一辈子都用不坏。国产NAND+存储企业自封看封装技术怎样了。

比如，做俯卧撑，轻轻松松能做10个，再往后肌肉(绝缘体)还能让我坚持再做10个，当然也可能再三五个累趴了。

SSD使用寿命3年一样道理。我抱着一直猫(电子)，能轻轻松松抱上1天，1天后肌肉(绝缘体)虽然有点酸，再抱上1天还是可能的；那将要达到1天时，把猫放下(erase)休息一会再抱上，这时能再轻松抱上大半天；快到理论时间时，把猫放下休息会，又能轻松抱半天...

二. MOSFET vs CTF

浮栅极MOSFET(Floating gate MOSFET)：电子储存在栅极中，它相当于一个导体，电子在其中自由移动。这种晶体管的缺点是写入数据时，栅极与沟道之间会形成一次短路，这会消耗栅极中的电荷。一旦栅极中的电荷没了，cell单元就相当于挂了，无法存储数据。

电荷攫取闪存(charge trap flash，简称CTF)：是一种非平面设计，绝缘体环绕沟道(channle)，控制栅极又环绕着绝缘体层。这种结构设计里面的电荷是储存在一个绝缘层而非之前的导体上，像奶酪一样捕获电子，使其难以动弹。

3D CTF: 2D NAND逐渐接近摩尔极限，cell之间的干扰影响越来越大，于是2D NAND向3D NAND发展。平面NAND旋转90°，control gate/floating gate环绕一圈，然后在垂直方向堆叠，这样的设计提升了储存电荷的的物理区域，提高了性能和可靠性。

三. 3D NAND 结构

String: 在一条bit line上垂直的一条（层高128/232...）。

page: 水平方向一条，3万-6万个单元宽。同一时间只能有1个page通过bit line读写数据，数据通过bit line汇总到page buffer。

row: 一整面的String。从一个row读写数据时，page上同一层的相邻单元组也同时被激活。

block:有4-8个rows。

column:4000-6000 blocks

Layer: 水平平面，就是我们说的128L，232L。目前NAND堆叠在232层左右，很快也会突破500层甚至更高。

边上是bit line选择器，及word line选择器。

四.3D NAND 组成

Field	Description
Package(Device)	封装好的芯片, 多层组成闪存颗粒, 每个Package 2 channels; 2/4/8 die
Channel	channel 表示有几组ALE、CLE、IO[7:0]、DQS、RE、WE、WP信号线。每channel 4CE(1024G) / 2CE(512G) / 1CE(256G)
Target(chip/CE)	对应一个CE, 独立片选, 单独寻址
Die(Lun)	晶圆切割最小单元, 有1个或多个Plane，主流的4个plane，个别厂家能做到6个plane。
Plane	有独立Page/Cache寄存器,496 Blocks
Block	擦除最小单元,目前一个Block可以有成千上万pages(每个厂家数据可能不同，比如2304 pages)。
Page	Program,Read最小单元, 现在主流3D TLC NAND一个page 16KB+2KB。 1个page共用一根word line。

1.1 NAND介绍相关推荐

STM32+雷龙SD NAND(贴片SD卡)完成FATFS文件系统移植与测试
一.前言在STM32项目开发中,经常会用到存储芯片存储数据. 比如:关机时保存机器运行过程中的状态数据,上电再从存储芯片里读取数据恢复:在存储芯片里也会存放很多资源文件.比如,开机音乐,界面上的菜单 ...
基于STM32采用CS创世 SD NAND(贴片SD卡)完成FATFS文件系统移植与测试
一.前言在STM32项目开发中,经常会用到存储芯片存储数据. 比如:关机时保存机器运行过程中的状态数据,上电再从存储芯片里读取数据恢复:在存储芯片里也会存放很多资源文件.比如,开机音乐,界面上的菜单 ...
Linux文件系统与持久性内存介绍：块设备、闪存（NAND/NOR）、NVDIMM(非易失性内存)、PMEM（PMDK）- ndctl
<持久内存开发套件(Persistent Memory Development Kit-PMDK) - pmem.io: PMDK> <PMDK介绍> <PMDK(NVM ...
2019关于闪存芯片NAND FLASH的封装介绍
随着目前产品小型化的需求越来越多,且可穿戴设备的逐渐普及,工程师们对于芯片小型化的需求也越来越强烈,这个就涉及到了芯片的封装工艺.这次,我们只针对NAND flash的封装进行介绍. 芯片常用封装有: ...
NAND FLASH和NOR FLASH的介绍
一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极 ...
NAND FLash基础概念介绍
@TOC一.引脚介绍 1. 命令.地址.数据都通过8个I/O口传输 2. 写命令.地址.数据时,都需要将WE.CE信号同时拉低 3. 数据在WE信号的上升沿被NAND Flash锁存 4. 命令锁存信 ...
镁光256Gb NAND Flash芯片介绍
总体概述该芯片是一款典型的大容量NAND Flash存储颗粒,支持Open NAND Flash Interface (ONFI) 2.1的接口标准,采用ONFI NANDFlash的操作协议.该芯 ...
Nand Flash管理算法介绍之FTL简介
和传统磁盘相比,Nand Flash存储设备存储延迟低.功耗低.更高的存储密度.抗震型号更好和噪声低.但是,由于Nand Flash的特性影响(读写擦的单位不一致,每个块有P/E次数限制),Nand ...
Nand flash相关概念介绍
1. SDR/DDR SDR(Single Data Rate): 读写数据使用上升沿或下降沿. DDR(Double Data Rate):写数据时通过MCU来控制DQS信号跳变沿来触发(即上升沿和 ...

1.1 NAND介绍

1.1 NAND介绍相关推荐

最新文章

热门文章