IR2184死区时间介绍

1.死区时间：通过H桥电路来理解，如图一所示为H桥电路，图中1、2、3和4共有四个开关代表4个MOS管，当1和4导通假设电机正转，反之2和3导通则电机反转。但是1和3同时导通或者2和4同时导通会导致电源与地短路从而使电源毁坏，为了避免这种情况，人们提出了设置死区时间的概念，即如图2所示（图中应该是U3但是U3和U2相同，因此写成了U2），本来t1时间MOS管1和4关断，2和3导通，但是由于MOS不是瞬间导通和关断的，需要一段时间（图中折线部分），人们基于这个基础让MOS管关断时直接关断，导通时却需要经过一段时间后再给导通信号，就是图中的Δt,由于Δt的缓冲从而避免了同时导通的情况，这儿的Δt就是死区时间。

2.IR系列芯片中IR2184有固定的死区时间（ps:软件可以不加死区，从而开发更加简单）

如图中所示DT为死区时间400，由知道toff为270，则死区时间可以保证死区时间结束后，MOS管已经关闭，从而保护电源

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