1场效应管和MOSFET管

1.1 什么是场效应管？

场效应晶体管（FieldEffffect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。它是利⽤控制输⼊回

路的电场效应来控制输出回路电流的⼀种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流

⼦导电，⼜称单极型晶体管。

场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输⼊电阻⾼、噪声⼩、功耗低、动态范围大、易于集成、没有⼆次击穿现象、安全⼯作区域宽等优点

两种类型：

结型场效应管（junction FET—JFET)

⾦属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）

1.2 什么是MOS管？

MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET ⾦属-氧化物半导体场效应晶体管，简称⾦氧半场效晶

体管。

⼀般是⾦属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是⾦

属—绝缘体(insulator)—半导体。

MOS管属于场效应管

2 MOS管三个引脚

G:栅极(gate)

S:源极(source)

D:漏极(drain)

3 判定⽅法

G极—栅极，不⽤说⽐较好认

S极—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是

D极—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边

4 寄生二极管的作用

如图，寄生二极管又称体二极管

防止Vds（漏极与源极之间的电压）过压时，烧坏MOS管

Vds过压时，寄生二极管先被反向击穿，大电流直接导向地端，从而保护mos管

防止MOS管的源极与漏极反接时烧坏MOS管

即源极接电源正极，漏极接电源负极时，电流回路通过寄生二极管流过，从而保护mos管

5 MOS管分类

5.1 按沟道分

寄生二极管指向D（漏极）为N沟道MOS管，简称NMOS；

寄生二极管指向S（源极）为P沟道MOS管，简称PMOS管

5.2 按材料分

增强型

栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流为零，即截止，要Vgs正偏（“增强”）达到一定阈值才能导通

耗尽型

栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流不为零，即导通（栅极偏压就导通），”耗尽“载流子才会截止
源极和漏极结构上是对称的
栅极-源极电压可正可负

6 MOS管的特点和作用

具有输入阻抗高、开关速度快，热稳定性好，电压控制电流等优点

可作为放大器、电子开关等用途

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