CMOS器件与TTL器件CMOS电平与TTL电平
常用的数字芯片,按制造工艺主要分为TTL器件和CMOS器件。
TTL器件是指其内部主要逻辑单元为双极性晶体管,CMOS器件是指其内部的主要逻辑单元为MOS管。
现在绝大部分数字芯片使用的工艺都是CMOS工艺,在一些比较老的74系列芯片中还使用的是TTL工艺。
为什么现在大部分数字芯片使用CMOS工艺而不是TTL工艺?
主要是因为TTL器件的逻辑单元三极管是电流驱动型器件,稳定时损耗高,发热量大,无法做集成度比较高的芯片。
比如同样输出1mA的电流,TTL器件内的晶体管除了CE之间的功耗,BE之间也会产生损耗,
而CMOS器件内的MOS管损耗主要是在DS间的导通电阻,而MOS管导通时DS间电阻一般是毫欧级别的,所以CMOS器件相较于TTL器件损耗要小很多。
但是TTL电路的延迟比CMOS电路的小。
数字TTL器件供电电压一般是5V,CMOS器件供电电压有1.8V,2.5V,3.3V和5V。
下面我们一起来看下TTL器件和CMOS器件的输入输出电平:
TTL器件输出高电平最小值为2.4V,输出低电平最大值为0.4V;
CMOS器件输出高电平最小值为0.9VCC,输出低电平最大值为0.1VCC;
TTL器件输入高电平最小为2V,输入低电平最大为0.8V ;
CMOS器件输入高电平最小值为0.7VCC,输入低电平最大值为0.3VCC;
接下来我们来看下TTL器件和CMOS器件的相互连接:
假如我们TTL器件和CMOS器件的电源都是5V供电的,当TTL器件IO做输出,CMOS器件IO做输入时,CMOS输入高电平最小为3.5V,输入低电平最大为1.5V,而TTL器件输出高电平的最小值为2.4V,有可能会不满足CMOS器件高电平的输入范围。
所以TTL器件不能直接驱动CMOS器件,当需要用TTL驱动CMOS时,一般会在外围加上拉电阻。
当CMOS器件IO做输出,TTL器件IO做输入时,TTL输入高电平最小为2V,输入低电平虽大为0.8V,显然CMOS器件的输出电平可以满足TTL器件的输入高低电平的范围。
CMOS器件的高电平和低电平驱动能力相近,一般都可以到5mA左右,
但是TTL器件IO的高电平驱动能力要远小于低电平驱动能力,一般高电平驱动能力只有0.几mA的样子,但是低电平驱动能力可以到5mA左右。这是因为TTL器件IO口上面的三极管都是加了电阻的,这个电阻值在几百欧的样子,这就限制了其高电平的驱动能力。
由于CMOS器件输入阻抗高,悬空的话会很容易受到干扰,所以一般CMOS器件不用的输入引脚在数据手册上都是要求上拉或者下拉。
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