电路设计中,经常遇到各种不相同的逻辑电平。常见的逻辑电平如下:
TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。

逻辑电平 VCC Vih Vil Voh Vol
TTL 5.0V 2.0V 0.8V 2.4V 0.4V
LVTTL 3.3V 2.0V 0.8V 2.4V 0.4V
LVTTL 2.5V 1.7V 0.8V 2.0V 0.4V
LVTTL 1.8V 1.2V 0.8V 1.35V 0.4V
CMOS 5.0V 3.5V 1.5V 4.5V 0.4V
LVCMOS 3.3V 2.0V 0.8V 2.4V 0.4V
LVCMOS 2.5V 1.7V 0.8V 1.0V 0.4V
LVCMOS 1.8V 1.2V 0.8V 1.35V 0.4V

TTL电平

TTL:Transistor-Transistor Logic 三极管结构。TTL电平常用的一般分为2种,分别是3.3V和5V,不论是3.3V还是5V的TTL的VIH/VIL与VOH/VOL都是一样的,输入的高低电平VIH/VIL一般是2V/0.8V,输出的高低电平VOH/VOL一般是 2.4V/0.4V,也就是 输出:VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;输入:VIH>=2V;VIL<=0.8V。另外由于2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。

LVTTL电平

LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。

3.3V LVTTL:

Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。

2.5V LVTTL:

Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。

TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重,可能在始端串22欧或33欧电阻;TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。

COMS电平

COMS:Complementary Metal Oxide SemiconductorPMOS+NMOS。CMOS的速度比较快,大多数用于相对高速的器件,比如一驱多时钟芯片。

Vcc:5V时,输出:VOH>=4.45V;输入:VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。

CMOS使用注意:CMOS结构内部寄生有可控硅结构,当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时,电流足够大的话,可能引起闩锁效应,导致芯片的烧毁。相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。

3.3V LVCMOS:

Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。

2.5V LVCMOS:

Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。

ECL、 PECL、LVPECL电平

ECL:Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构)

Vcc=0V;Vee:-5.2V;VOH=-0.88V;VOL=-1.72V;VIH=-1.24V;VIL=-1.36V。

速度快,驱动能力强,噪声小,很容易达到几百M的应用。但是功耗大,需要负电源。为简化电源,出现了PECL(ECL结构,改用正电压供电)和LVPECL。

PECL:Pseudo/Positive ECL

Vcc=5V;VOH=4.12V;VOL=3.28V;VIH=3.78V;VIL=3.64V

LVPELC:Low Voltage PECL

Vcc=3.3V;VOH=2.42V;VOL=1.58V;VIH=2.06V;VIL=1.94V

ECL、 PECL、LVPECL使用注意:不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。以上三种均为射随输出结构,必须有电阻拉到一个直流偏置电压。(如多用于时钟的LVPECL:直流匹配时用130欧上拉,同时用82欧下拉;交流匹配时用82欧上拉,同时用130欧下拉。但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右。)

LVDS电平

LVDS:Low Voltage Differential Signaling。前面的电平标准摆幅都比较大,为降低电磁辐射,同时提高开关速度又推出LVDS电平标准。差分对输入输出,内部有一个恒流源3.5-4mA,在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mV的差分电平,中心电平一般在1.2V左右。LVDS使用注意:可以达到600M以上,PCB要求较高,差分线要求严格等长,差最好不超过10mil(0.25mm)。100欧电阻离接收端距离不能超过500mil,最好控制在300mil内。

CML电平

CML:是内部做好匹配的一种电路,不需再进行匹配。三极管结构,也是差分线,速度能达到3G以上。只能点对点传输。

GTL电平

GTL:类似CMOS的一种结构,输入为比较器结构,比较器一端接参考电平,另一端接输入信号。1.2V电源供电。

Vcc=1.2V;VOH>=1.1V;VOL<=0.4V;VIH>=0.85V;VIL<=0.75V

PGTL/GTL+:

Vcc=1.5V;VOH>=1.4V;VOL<=0.46V;VIH>=1.2V;VIL<=0.8V

HSTL与SSTL电平

HSTL是主要用于QDR存储器的一种电平标准:一般有V¬CCIO=1.8V和V¬¬CCIO= 1.5V。和上面的GTL相似,输入为输入为比较器结构,比较器一端接参考电平(VCCIO/2),另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。SSTL主要用于DDR存储器。和HSTL基本相同。V¬¬CCIO=2.5V,输入为输入为比较器结构,比较器一端接参考电平1.25V,另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。

HSTL和SSTL大多用在300M以下。

RS232和RS48电平

RS232采用±12-15V供电,我们电脑后面的串口即为RS232标准。+12V表示0,-12V表示1。可以用MAX3232等专用芯片转换,也可以用两个三极管加一些外围电路进行反相和电压匹配。

RS485是一种差分结构,相对RS232有更高的抗干扰能力。传输距离可以达到上千米。

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