《炬丰科技-半导体工艺》硅片减薄、分离工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：硅片减薄、分离工艺

编号：JFKJ-21-230

作者：炬丰科技

摘要

在硅片上形成电路的各种传感器、通信、存储设备等半导体设备(芯片)是必不可少的。一般来说，“细化”和“最小化”都是必需的。另一方面，模具强度的提高对于提高制造工艺的良率和提高最终产品的耐久性也非常重要。

介绍

在半导体器件的前端生产过程中，电子电路如晶体管是在硅片表面形成的。随后，在后端生产中，对晶圆背面进行薄化，并对晶圆进行切丁模拟。近年来，对更薄芯片的需求一直在增长，以支持较低的封装高度，并允许多个芯片堆叠和封装在封装中。

评价方法

半导体设备与材料国际(SEMI)将三点弯曲的标准规定为G86-0303，作为测量模具强度的方法。在三点弯曲试验中，如图4所示，切屑是简单支撑，两端不固定，用压头连续施加垂直载荷，直至切屑断裂。

应力缓解效应

评估了消除镜面磨削损伤和锯痕的应力消除效果。利用上述CMP和DP去除磨后的镜面，DBG大大减少了后侧切屑，提高了模具强度。

背面切屑的影响

最后，评估了芯片背面四边产生的切屑对芯片的影响。对比样品采用DBG工艺，可大大减少背面切屑。针对切屑的背面状况，对2000轮和DP轮加工的表面进行了评价。

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