文章目录

1、烧录器外观软件图标
- 1.1 外观如下
- 1.2 软件图标如下
2、烧录器操作方法
- 2.1 读取Flash内容
- - （1）设置Flash型号
  - （2）点击Read ID，测试是否可以正确读取
  - （3）开始读取数据
- 2.2 烧写bin文件到Flash
- - （1）加载bin文件到buffer中
  - （2）空片检查
  - （3）点击program就开始写入数据了
  - （4）校验数据
  - （5）可选：将Flash数据读出来并和原来的bin文件比较
- 2.3 批量写Flash步骤

示例Flash型号：

GD5F1GQ5REYIG

1、烧录器外观软件图标

1.1 外观如下

通过USB直连电脑，USB有供电口。

1.2 软件图标如下

2、烧录器操作方法

备注：

必须对同型号的Flash操作。

假如从Flash A型号读取出的数据，烧写到Flash B中，通常B无法正常工作。

2.1 读取Flash内容

（1）设置Flash型号

设置正确后点击OK界面如下：

（2）点击Read ID，测试是否可以正确读取

如果失败会显示红色，并提示Failed

（3）开始读取数据

弹窗右边chip部分为chip中读取出来的数据。

点击【save Memory From】保存，地址范围默认即可。

点击【是】

弹窗选择路径，填写文件名，这里取名为【GD5F1GQ5REYIG_Customers_Factory.bin】

会有Save memory is on-going之类的提示，等待保存完成即可。

至此，Flash数据读取完成。

备注：可以使用二进制操作文件打开保存好的bin，以查阅数据是否正确保存。

2.2 烧写bin文件到Flash

先准备好bin文件，通过上述步骤配置好操作环境，read一下ID，确保可以正确识别Flash，然后开始下述步骤：

（1）加载bin文件到buffer中

(a.)Read bin文件

(b.)选择镜像路径&选中Spare Area UseFile

(c.)使用mode0模式
注意：经过反复多次验证，这里选择mode0可以正常工作，并且无论hard copy还是skip bad block，烧进nand再读出来的数据是完全相同的。而选择mode3时，hard copy和skip bad block两种方式烧进nand之后立马读出来数据不一样，具体原因待进一步研究。
总之，经多次验证选择mode0无误，功能完全OK。

(d.)点击Buffer可以看到bin文件数据已经加载进去了

（2）空片检查

或者直接erase也可以。

如果flash不空，则显示如下，此时最好执行一次erase flash，将片子擦空。

（3）点击program就开始写入数据了

可以看到写的过程中，处于busy状态，最下面绿色的是进度条，右边绿色的写入状态，写入失败的话会显示红色。

写完以后，会由【BUSY】变成【PASS】状态。

（4）校验数据

最后一步，校验数据。等待校验通过，结束。

至此，Flash烧写结束。

（5）可选：将Flash数据读出来并和原来的bin文件比较

最后可以将Flash里面的数据读出来，和之前的bin文件进行比较，完全一样：

2.3 批量写Flash步骤

基于上一步骤，写完一个FLash以后，缓冲器已经有数据了，则可以通过如下4个步骤批量写Flash：

1、读ID（确保可以正确操作）
2、Blank检查/空片检查（确保flash为空，若不为空需要Erase擦空从而保证写入数据干净）
3、Program（写Flash）
4、Verify（校验）

如下图：

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