ASEMI代理Infineon英飞凌IPB60R099CP原厂MOS管

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IPB60R099CP参数描述：

型号：IPB60R099CP

持续漏极电流：31A

脉冲漏极电流：93A

雪崩电流，重复：11A

栅极-源极电压：±20V

功率耗散：255W

操作和储存温度：-55 to 150℃

连续二极管正向电流：18A

二极管脉冲电流：93A

漏源击穿电压：600V

栅极阈值电压：3V

零栅极电压漏极电流：5µA

栅极-源极泄漏电流：100 nA

漏极源导通状态电阻：0.09Ω

栅极电阻：1.3Ω

输入电容：2800 pF

输出电容：130 pF

开通延迟时间：10 ns

关断延迟时间：60 ns

二极管正向电压：0.9V

反向恢复时间：450 ns

IPB60R099CP特征：

TO263中的最佳Rds

超低栅极电荷

极限dv/dt额定值

高峰值电流能力

符合JEDEC标准的目标应用

无铅电镀；符合RoHS要求

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