STM8L EEPROM DATA数据读写
一、概要
STM8系列一般拥有如下几种三种数据区
- 用户启动区域(UBC)
- 数据EEPROM(DATA)
- 主程序区
- 选项字节(Option byte)
用户启动区域(UBC)包含有复位和中断向量表,它可用于存储IAP及通讯程序;
数据EEPROM(DATA)区域可用于存储用户具体项目所需的数据;
主程序区是指在FLASH程序存储器中用于存储应用代码的区域;
选项字节用于配置硬件特性和存储器保护状态。
作为应用而言,一般主要使用EEPROM(DATA),存放各种参数、或者离线数据、状态数据等等。
下面以以STM8L052R8为例,简单说明对其的访问方法。
根据STM8L052R8的手册,其有Memory信息如下:
■ Memories
– 64 KB Flash program memory and 256 bytes data EEPROM with ECC, RWW
– Flexible write and read protection modes
– 4 KB of RAM
可知其具有256字节的EEPROM。并带有ECC校验,和RWW(读同时写)功能。
RWW特性允许户在执行程序和读程序存储器时对DATA EEPROM区域进行写操作,
因此执行的时间被优化了。相反的操作是不允许的:即不允许在写程序寄存器是对其进行读操作。
RWW特性是一直有效的而且可以在任意时刻使用
对EEPROM编程也有如下几种方式,顾名思义,很容易理解其含义。
字节编程方式最易于理解,也最简单。
- 字节编程
- 字编程
- 块编程
二、更深入的细节
STM8系列有存储器存取安全系统(MASS),在复位后,主程序和DATA区域都被自动保护以防止无意的写操作。
在修改其内容前必须对其解锁,而解锁的机制由存储器存取安全系统(MASS)来管理。(UBC始终为写保护)
因此写操作时需要先解除写保护,并在完成写入后恢复写保护(视应用而定)。
Unlock的具体操作是,向FLASH_DUKR寄存器连续写入两个被叫作MASS密钥的值:
- 第一个硬件密钥: 0b1010 1110 (0xAE)
- 第二个硬件密钥: 0b0101 0110 (0x56)
如果解锁成功,FLASH_IAPSR中的DUL位被置为1,表示成功。
应用必须检测这个标志才可进行后续操作。
(编程区与之类似,但写入的是PUKR,且2个密钥顺序相反)
对EEPROM的读写其实非常简单,就是直接对地址按字节进行赋值和取值。
但是在操作后,需要等待其操作完成。判断方法是:
- 对于EEPROM(DATA)数据区:FLASH_IAPSR寄存器的HVOFF(高压结束标志位)变为1
- 对于编程区:FLASH_IAPSR寄存器的EOP(编程结束标志位)变为1
另外,试图向被保护页进行写操作时,会发生错误,此时FLASH_IAPSR得WR_PG_DIS标志位会置1。
所以,最终的判断方法是:
HVOFF或者WR_PG_DIS被置为1,前者为正常介绍,后者表示出错
三、示例代码
地址范围定义(读写范围为0~127字节)
#define DATA_MEMORY_START_ADDR (FLASH_DATA_EEPROM_START_PHYSICAL_ADDRESS)
#define DATA_MEMORY_STOP_ADDR (FLASH_DATA_EEPROM_START_PHYSICAL_ADDRESS + 128)
初始化函数
void flash_init(void)
{// 设置编程时间,指定标准编程时间即可FLASH_SetProgrammingTime(FLASH_ProgramTime_Standard);// 解锁EEPROM区域(注意type是Data)FLASH_Unlock(FLASH_MemType_Data);// 等待解锁成功// 本质是判断FLASH->IAPSR寄存器的DUL标志位是否变为1。1表示写保护消除,0为保护中// 任何时候都可以通过变更此标志位为0来恢复写保护状态while (FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_DUL) == RESET);
}
读函数
uint8_t flash_read(uint32_t FlashAddr, uint8_t *dest, uint8_t nbyte)
{uint8_t i = 0;// 越界判断if((FlashAddr < DATA_MEMORY_START_ADDR)||(FlashAddr+ nbyte > DATA_MEMORY_STOP_ADDR)) {return FALSE;}// 按字节读for(i=0; i<nbyte; i++) {*(dest+i)=FLASH_ReadByte(FlashAddr+i);// 等待操作完成,此处未处理错误FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_MemType_Data);}return nbyte;
}
写函数
uint8_t flash_write(uint32_t FlashAddr, uint8_t *source, uint8_t nbyte)
{uint8_t i = 0;// 越界判断if((FlashAddr < DATA_MEMORY_START_ADDR)||(FlashAddr+ nbyte > DATA_MEMORY_STOP_ADDR)) {return FALSE;}// 按字节写for(i=0;i<nbyte;i++) {FLASH_ProgramByte((FlashAddr+i),*(source + i));// 等待操作完成,此处未处理错误FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_MemType_Data);}return nbyte;
}
四、库函数实现解析
FLASH_Unlock函数
void FLASH_Unlock(FLASH_MemType_TypeDef FLASH_MemType)
{/* Unlock program memory */if(FLASH_MemType == FLASH_MemType_Program){FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY1;FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY2;}/* Unlock data memory */// 连续两次赋值密钥(固定值)if(FLASH_MemType == FLASH_MemType_Data){FLASH->DUKR = FLASH_RASS_KEY2; /* Warning: keys are reversed on data memory !!! */ /* 0xAE */FLASH->DUKR = FLASH_RASS_KEY1; /* 0x56 */}
}
FLASH_ReadByte、FLASH_ProgramByte、FLASH_EraseByte
由下可知,读写擦出均为直接操作地址。
uint8_t FLASH_ReadByte(uint32_t Address)
{/* Read byte */return(*(PointerAttr uint8_t *) (MemoryAddressCast)Address);
}void FLASH_ProgramByte(uint32_t Address, uint8_t Data)
{*(PointerAttr uint8_t*) (MemoryAddressCast)Address = Data;
}void FLASH_EraseByte(uint32_t Address)
{*(PointerAttr uint8_t*) (MemoryAddressCast)Address = FLASH_CLEAR_BYTE; /* Erase byte */
}
FLASH_WaitForLastOperation 操作等待
FLASH_Status_TypeDef FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_MemType_TypeDef FLASH_MemType))
{uint16_t timeout = OPERATION_TIMEOUT;uint8_t flagstatus = 0x00;/* Wait until operation completion or write protected page occurred */// 程序区等待IAPSR的EOP或者WR_PG_DIS标识位被置为1if(FLASH_MemType == FLASH_MemType_Program){while((flagstatus == 0x00) && (timeout != 0x00)){flagstatus = (uint8_t)(FLASH->IAPSR & (uint8_t)(FLASH_IAPSR_EOP |FLASH_IAPSR_WR_PG_DIS));timeout--; // 贴心的超时处理}}else{// 数据区的话,等待IAPSR的HVOFF或者WR_PG_DIS标识位被置为1while((flagstatus == 0x00) && (timeout != 0x00)){flagstatus = (uint8_t)(FLASH->IAPSR & (uint8_t)(FLASH_IAPSR_HVOFF |FLASH_IAPSR_WR_PG_DIS));timeout--; // 贴心的超时处理}}if(timeout == 0x00){ // 超时flagstatus = FLASH_Status_TimeOut;}return((FLASH_Status_TypeDef)flagstatus);
}
以上,相比直接操作寄存器,用库做STM开发还是比较有效率的。
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