使用STM32F103ZET6驱动NAND FLASH（K9F1G08U0E）

经过2天的学习从不了解NAND FLASH，到驱动NAND FLASH完成一些简单的写，擦除，读取状态，复位等操作。

方法：使用正点原子的ST32F103ZET6和NAND FLASH（K9F1G08U0E）相连接

先看此图：

1.此芯片位宽位8，I/O口从0-7分别连接到FSMC_D0-FSMC_D7（PD14,PD15,PD0,PD1,PE7,PE8,PE9,PE10）

2.CLE是命令锁存使能-就是引脚在搞电平传输的是命令，ALE地址锁存使能-高电平，传输的是地址。CLE连接PD12，ALE连接PD13（这二条线也是FSMC的地址线A17和A16）

3.WE是写使能（低电平有效写入数据）PD5-FSMC_NWE，RE是读使能（低电平有效读取数据）PD4-FSMC_NOE，CE是片选此芯片（低电平有效选择NAND芯片）PD7-FSMC_NE1，WP是写保护（此芯片本身上拉就是没有写保护，当WP接地后芯片被保护无法写入数据）PD6，R/B（是准备就绪/正在工作状态，输出低电平表示忙，高表示就绪）PG6-FSMC_INT2。

说下地址传输格式的问题

此芯片是传输四个字节一共32位，其中A10到A0表示页内偏移（此芯片一页有2K字节，偏移表示从字节0开始计数）但是此字节很少用因为芯片的读/写以页为单位，芯片的擦除以块为单位。

举例：假如我写2048字节到块1页3上，和块1页5上，这时我想擦除块1页3，其实也把块1页5擦除了。擦除是以块为单位

A17-12表示页地址（1个block（块）有64页）

A27-A18表示块地址（表示0-1013块也就是一个Zone）

一页2K,一个块有64页（64*2=128k=0.125M），一个Zone有1024个块1024*0.125=128M，由于此芯片有1G，所以有1024/128=8个Zone。

举例想访问块3页5上偏移100字节的，1st-0x64就是100字节，2nd0x00，3rd有A19-A12但是是页地址和块地址混合。0xc5-1100 0101，11就是A19到A18就是块3,00 0101就是A17-A12表示页5

在程序中表示：

还是以块3页5举例，5+（3+（0*1024））*64 = 197，这里ROW_ADDRESS就是197就是0xc5

带进去3rd就是0xc5，4th就是0x00

功能命令操作码

举一个例子READ ID

此NAND FLASH挂在BANK2上，我上面连的线也是连到BANK2上的，所以起始地址是0x7000 0000,BANK3起始是0X8000 0000。我查阅资料发现0x7000 0000到0x8000 0000不全是我们能用的空间，在BANK2上。

CMD_AREA表示高电平下进行引脚命令传输-0x90

然后ADDR_AREA拉高表示传输地址0x00

最后用32位的指针指向起始地址，强张取出一个32位的数据里面包含了商家厂家和芯片的内部信息等。

得出这些信息

未完--还有关于FSMC时序的问题和读写擦除命令和使用

时间2022/5/6--学习复习使用。

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