MOS 的TJ TA TC和功耗之类的计算

纯粹是为自己做笔记而写谢谢

一般情况下 TC=TJ-P*Rjc 或者TA=TJ-P*Rja

P是芯片最大的功耗 Rjc是结壳间的热阻Rja表示结与环境间的热阻应用比较广泛的是计算二极管和MOS管的损耗和温度是否支撑的住我们一般计算都是室温下25 如果是放在温箱中TA带入就不能是25

比如一个器件室温下工作TA=TC=25度功耗最大是1.5W Rja=Rjc=83.3

TJ=25+1.5*83.3=149.95

所以 TC=150-P*Rjc

假如我的管子功耗是1W 则最大能承受的的壳体温度为TC=150-1*Rjc=66.7度

如果我的壳体温度大于66.7度对应的管子的功耗必然下降管子本身也对应有一个功耗的降额值

比如说12mw/度那么对应的功耗P=Pmax-(TC-25)*0.012

P=1.5-（66-25）*0.012=1.008W 同温度计算值相差不大公式适应

通过这种方式可以变相算出TJ TC和功耗等情况。

同时当温度过高时二极管的正向电流会相应减小（跟负载能力相关）正向导通压降会相应减小这个可以参考手册曲线，选型二极管的时候一定要保证二极管的损耗在0.5W内，否则不适应于二极管的场合。

按照上面的公式可以推出TJ=25+110*1.14=150 符合公式

P=(150-TC)/1.14

假如工作环境在60度的时候则P=（150-60）/1.14=79W

MOS管选型时候需要考虑开关损耗和温度

纯开关应用不考虑开关损耗是 P=ID^2*Rdson ID是连续漏电流

按照实际应用推算 P=(150-TC)/1.14 公式可以反向推导ID是多少。

当涉及到开关必须要考虑的就是损耗损耗与芯片的运行温度和发热量有关系

MOS管的损耗包含：AC损耗 DC损耗死区时间功耗（在有占空比的时候用到同步整流时候二个管子同时关闭）

AC 损耗（PswAC） = ½ * Vds * Ids * (trise + tfall)*Fsw

DC 损耗: PswDC = RdsOn * Iout * Iout * 占空比（其中占空比为输出/输入）

死区时间损耗Pdt=2*VF(体二极管的导通压降)*Io*Tdead_time*Fsw

如果是同步整流电流则:

高边管的导通电阻损耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(Vo/vin)

低边管的导通电阻损耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(1-Vo/vin)

如果是异步整流，则下管是二极管：

高边管的导通电阻损耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(Vo/vin)

二极管的导通电阻损耗PswDC = VF*Iout*(1-Vo/vin)

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