内存颗粒识别

存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron(美光)、德国的Infineon(英飞凌)；韩国的SAMSUNG(三星)、HY(现代)；日本的NEC(日本电气)、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT(晶豪)、EtronTech(钰创)、Winbond(华邦)、Mosel(茂矽)、Vanguard(世界先进)、Nanya(南亚)。

有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR时代采用的也不多了。显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR的管脚数量为33X2=66。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

SAMSUNG

目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X XX - X X X X

主要含义：

第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数(代宽)，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位－－连线“-”，没有实际意义。

第12、13位――为速度标志。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。

例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位) × 16片/8bits=256MB(兆字节)。

Hynix(Hyundai)现代

韩国现代公司的显存，应该为大多数朋友熟悉了。目前全球排名第四位，它的产品线也是很丰富的，在内存中，现代HY是物美价廉的代表。

现代内存的含义：HY5DV641622AT-36

HY XX X XX XX XX X X X X  X  XX

1  2  3  4  5  6 7 8 9 10 11 12

1、HY代表是现代的产品

2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

7、I/O界面：1 :SSTL_3、2 :SSTL_2

8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新

9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A

第一个编号为HY5DV641622AT-36的颗粒，它是DDR显存颗粒，第4位的字母“D”即代表为DDR，单颗64/8＝8MB，速度为3.6ns；第二颗编号为HY57V641620HG T-6，它是SDR颗粒，它的第6、7两位标称了显存单颗粒为64/8＝8MB，8，9两位代表了显存位宽为16bit，T-6表示速度为6ns，一般以-2A的标识方式进行标注。

Infineon(亿恒)

Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节)。

1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits(兆数位) × 8 片/8=128MB(兆字节)。

这颗编号为HYB25D128323C-3.3，编号中正数第10、11位，也就是“32”代表了该颗粒的数据输出位宽。32也就是单颗32位。顺便说一下，这是DDR SGRAM显存颗粒。

KINGMAX

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tiny ball grid array)。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；

-8——PC100 /CL=3。

例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。

Micron(美光)

美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron(美光)颗粒编号的简单含义作介绍：

以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义：

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M(地址)×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字节)。

颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。

Winbond(华邦)

台湾华邦为台湾5大内存芯片厂商之一，近年来，大陆客户采用它的内存颗粒较多，因此为我们较熟悉的一种品牌。

含义说明：

W XX XX XX XX

1 2  3  4  5

1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM

3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；

4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

这颗粒编号为W946432AD-5H，第1位W为台湾华邦显存颗粒开头标志，编号中的4、5为64表示单颗显存为64/8=8Mb，第6、7为32表示单颗粒位宽为32位，第9位D表示位DDR颗粒，后面的第11、12位表示颗粒速度位5ns。

台湾晶豪电子

台湾晶豪电子是台湾5大内存芯片厂商之一，它近年来发展迅速，主要中国大陆显卡商采用它的颗粒较多。

这颗显存编号为-5.5Q，9948S M32L32321SB，-5.5Q代表显存的速度为5.5ns，对应的运行速度=1/5.5=183MHz；9948S表示封装日期为99年第48周；第二行中的3232表示容量为32/8=4MB，数据带宽为32bit。

这颗显存编号为M13L128168A-4T，5、6、7位的128表示单颗是128/8＝16MB，8、9位表示位宽16bit，最后的-4T表示速度为4ns。

台湾钰创科技

台湾钰创科技为最近兴起的存储芯片领域里的一颗新星，它的内存颗粒被各大显卡产商大量采用，品质性能都非常不错。这颗显存编号为EM658160TS-4.5，其中EM代表EtronTech(钰创)显存，65代表容量为64/8=8MB，16代表数据带宽为16bit。T代表工作电压为2.5V，S代表种类为DDR SDRAM。4.5代表显存速度为4.5ns，额定工作频率为230MHz。

南亚科技(NANYA)

南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。

这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。

台湾茂矽(MOSEL)

台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。

这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns。