近年来,随着电力电子技术的高速发展,对开关器件驱动电路的研究也得到了很大进展。IGBT的触发和关断要求给其栅射极提供正向和负向电压,其中栅极电压可由不同的驱动电路产生。IGBT的驱动电路是连接IGBT与控制电路的桥梁,对IGBT以及主电路的正常工作具有重要意义。本文介绍了一种性能良好的驱动电路,并对其进行了Matlab仿真。1IGBT对栅极的控制要求IGBT与普通的晶体管一样有三个工作区,即饱和区、放大区和截止区。而在电力电子技术中,由于IGBT是作为一种开关器件使用,所以我们只重点关注其饱和导通和关断截止这两种工作状态。1.1栅极电压由于IGBT的栅极电容比较大,而其作为开关器件来说又要保证其较高的开关速度,因此就要在栅极加上合适的正反向偏置电压Uge。理论上UgeUge(th)时,IGBT处于导通状态,但是Uge不能过大,否则会引起栅极电压振荡,导致栅极的损坏。在一定范围内,Uge越大,IGBT的Uges就越小,有利于减小IGBT的通态损耗,但同时也会减少IGBT承受短路电流的时间,从而增加续流二极管的反向恢复电压。故一般情况下栅极电压不能大于+20V,+15V最为适宜。当IGBT关断时,其栅极反向偏置电压Uge最好在-15-5V,以便缩短其关断时间,提高其抗干扰能力。1.2栅极串联电阻的选择在栅极串联一个合适的电阻Rg对IGBT的驱动来说是很重要的,它可以控制IGBT的开关损耗。当Rg增大,IGBT开关过程延长,损耗增大;当Rg减小,IGBT开关过程变短,损耗减少,所以选择Rg时要参考器件手册。1.3栅极驱动功率IGBT的开关过程需要消耗一定的功率,而该功率由栅极电源提供,其与栅极正负偏置电压压差Uge、栅极电容Cge和工作频率fc有关。驱动电路电源的最大峰值电流Igpk=Uge/Rg驱动电源的平均功率PAV=CgeUge2fc2IGBT栅极驱动电路基本形式驱动电路的基本形式有直接驱动方式、变压器隔离驱动方式和光耦隔离驱动方式三种,本电路采用光耦隔离输出驱动电路。光耦结构图如图1所示。图1光耦合器结构图+V-V光耦合器对输入、输出信号起隔离作用,一般由三部分组成:光的发射、光的接收及信号放大。当输入的脉冲电信号驱动发光二极管,使其发出一定波长的光,被光探测器接收而产生光电流,在经过进一步放大后输出,这就完成了电光电的转换,从而起到隔离输入输出的作用。由于光耦合器输入输出之间相互隔离,电信号具有单向性等特点,因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力,又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件,因而具有很强的共模抑制能力。3硬件驱动电路的仿真本文介绍了一种用Matlab软件中的SimElectronics模块搭建硬件驱动电路的方法,并对该驱动电路进行了仿真,搭建的硬件仿真电路如图2所示。图2中的橘黄色模块为脉冲信号发生器,其具体结构如图3所示。信号发生器中,脉冲信号幅值为5V,频率为5e5Hz,占空比是50%。通过乘-1使信号反相,这时输出的两路SPWM信号就实现了互补。但是由于信号发生器发出的是仿真信号,所以要加一个SimulinkPS转换器,在输入硬件驱动电路之前将仿真信号转换为物理信号。下面对图2中的驱动电路作简要介绍。驱动电路的输入是SPWM信号,此信号为低电平触发,由脉冲发生器发出。SPWM1与SPWM2为一对互补的脉冲信号,当SPWM1为低电平时使PNP1导通,上桥臂光耦发光二极管的阴极变为低电平;此时SPWM2的信号为高电平,这时NPN1导通使得上桥臂光耦发光二极管的阳极为高电平,从而上路光耦合器导通。但这时由于下桥臂光耦的发光二

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