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*名称:write_page_flash
*参数:
*   page   页号
*   buf    写缓存，2048字节
*返回:
*   state  成功:0
*          失败:1
*功能:按页写闪存
*********************************************************************/
int write_page_flash(unsigned long page, unsigned char *buf){int i;   //循环计数器int state;   //写入状态，0表示成功，1表示失败//选中闪存芯片NFCONT &= ~(1<<1);   //设置Reg_nCE:0//清除忙信号NFSTAT |= (1<<2);    //设置RnB_TransDetect:0//发送写命令(0x80)NFCMMD = 0x80;//发送列地址（页内偏移）NFADDR = 0x00;   //Col.Add1，按页写忽略页内偏移NFADDR = 0x00;   //Col.Add2//发送行地址（页号）NFADDR = (page>>0)&0xFF;    //Row.Add1NFADDR = (page>>8)&0xFF;    //Row.Add2NFADDR = (page>>16)&0xFF;   //Row.Add3//写入数据for(i = 0; i < PAGE_SIZE; i++){NFDATA = buf[i];   //注意，NFDATA寄存器数据类型要和buf匹配，一个写周期写入一个字节}//发送写命令(0x10)NFCMMD = 0x10;//等待忙信号while( !(NFSTAT&(1<<2)) );   //当RnB_TransDetect等于1时，结束循环//发送读状态命令(0x70)NFCMMD = 0x70;//读取状态state = NFDATA&0x00000001;   //取出数据端口I/O的0位，否则返回随机值//释放闪存芯片NFCONT |= 1<<1;   //设置Reg_nCE:1return state;
}/********************************************************************
*名称:erase_block_flash
*参数:
*   page   页号
*返回:
*   state  成功:0
*          失败:1
*功能:按块擦除闪存。提供页的地址，擦除所在的块。
*********************************************************************/
int erase_block_flash(unsigned long page){int state;   //写入状态，0表示成功，1表示失败//选中闪存芯片NFCONT &= ~(1<<1);   //设置Reg_nCE:0//清除忙信号NFSTAT |= (1<<2);    //设置RnB_TransDetect:0//发送擦除命令(0x60)NFCMMD = 0x60;//发送行地址（页号）NFADDR = (page>>0)&0xFF;    //Row.Add1NFADDR = (page>>8)&0xFF;    //Row.Add2NFADDR = (page>>16)&0xFF;   //Row.Add3//发送擦除命令(0xD0)NFCMMD = 0xD0;//等待忙信号while( !(NFSTAT&(1<<2)) );   //当RnB_TransDetect等于1时，结束循环//发送读状态命令(0x70)NFCMMD = 0x70;//读取状态state = NFDATA&0x00000001;   //取出数据端口I/O的0位，否则返回随机值//释放闪存芯片NFCONT |= 1<<1;   //设置Reg_nCE:1return state;
}