利用PMOS实现LED恒流驱动芯片的通断控制
电路原理:
1、QX7135E33为330mA线性LED恒流驱动芯片,无使能端。
2、利用PMOS控制QX7135的电源通断,实现使能功能。
原理说明:
1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时,三极管Q2的基极被拉低到地,为低电平,Q2不导通,进而MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管Q1不导通,+5V_OUT 无输出。电阻R4是为了在 Control 为高阻时,将三极管Q2的基极固定在低电平,不让其浮空。带软开启功能的MOS管电源开关电路
2、当电源 +5V_IN 刚上电时,要求控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻,即关闭三极管Q2,从而关闭MOS管Q1。因 +5V_IN 还不稳定,不能将电源打开向后级电路输出。此时等效电路图如下。
此时电源 +5V_IN 刚上电,使MOS管G极与S极等电势,即Vgs = 0,令Q1关闭。
3、电源 +5V_IN 上电完成后,MOS管G极与S极两端均为5V,仍然Vgs = 0。
4、此时将 Control 设为高电平(假设高电平为3.3V),则:
①三极管Q2的基极为0.7V,可算出基极电流Ibe为:
(3.3V - 0.7V) / 基极电阻R3 = 0.26mA
②三级管Q2饱和导通,Vce ≈ 0。电容C1通过电阻R2充电,即C1与G极相连端的电压由5V缓慢下降到0V,导致Vgs电压逐渐增大。
③MOS管Q1的Vgs缓慢增大,令其缓慢打开直至完全打开。最终Vgs = -5V。
④利用电容C1的充电时间实现了MOS管Q1的缓慢打开(导通),实现了软开启的功能。
MOS管打开时的电流流向如下图所示:
5、电源打开后,+5V_OUT 输出为5V电压。此时将 Control 设为低电平,三极管Q2关闭,电容C1与G极相连端通过电阻R2放电,电压逐渐上升到5V,起到软关闭的效果。软关闭一般不是我们想要的,过慢地关闭电源,可能出现系统不稳定等异常。过程如下图。
一般情况下还是放心使用软启动功能,伴随而来的软关闭效果一般没什么影响。
三、电路参数设定说明:
调整C1、R2的值,可以修改软启动的时间。值增大,则时间变长。反之亦然。
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