TMR 传感器的原理及应用

TMR磁力传感器的原理及应用

穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance, TMR)穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。

Crocus TMR传感器架构

阻值随磁场的方向及强度变化。

TMR传感器适合于作为短距离非接触式位置确认；

适用于各种IOT设备

智能锁
物联网锁
门磁
液位传感器
燃气表/水表
手机
家电等

优势：

体积小 SOT23-3封装
功耗超低平局功耗为200nA
灵敏度高 0.9mT感知
可靠性高

典型料号

CT832BV-HS3
CT832SK-HS3

应用图例

Phil Fu
QQ： 34303880
13817316850

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