铃木雅臣晶体管电路设计学习笔记1

第2章放大电路的工作

共射极放大电路

电路设计

1. 确定电压

最大输出电压为5Vp-p，电源电压要大于5V。
发射级电压要加上1到2V，电源电压要6到7V
最终选择15V,因为比较常见

2.选择晶体管

根据爱好习惯选择NPN与PNP都行
电源电压为15V，集电极-基极Vcbo与集电极-发射极电压Vceo选择大于15V的器件
最终选择2SC2458（东芝）。2SC2458是通用晶体管，（作者是日本人，写的也久了，嘉立创搜不资料应该已经更新换代了)

3.选择发射极电流的工作点

由该曲线图可知，如果希望频率特征最好，发射极电流要设置40mA。
还要考虑噪声特性最小的发射极电流。在同一晶体管中,频率特性最好的发射极电流与噪声特性最好的发射极电流是不同的。噪声频率怎么看不知道
由于设计规格没详细说明只要在最大电流以下都行，为计算方便取1mA。

4.确定Rc与Re

放大倍数由Rc与Re之比决定所以Rc：Re=5:1
为了吸收基极发射极的电压随温度的变化Re压降必须1V以上，取2V
Re=2V/1mA=2KΩ。Rc取10KΩ。

计算晶体管的功率损耗P=Vce*Ic=3mW，最大额定值以下。Rc过大会影响输出波形的下侧。Rc过小会影响输出波形上侧。Rc取值最好是保证Vc在Vcc与Ve的中点。本设计不用刻意去调。

5.基级偏置电路的设计

Ve=2V，Vbe=0.6V，所以Vb必须2.6V，所以R2的压降为2.6V，R1的压降为12.4V即可。
基极电流为集电极电流的1/hFE。（hFE是电流放大系数，这个值越大越好，小信号通用晶体管是一百到数百，功率放大晶体管是数是到一百。即使同一型号的晶体管hFE也有分散性）假设是200，那么基极电流就是0.005mA，实际要设置比它大的多的（10倍以上）为计算方便取0.1mA
R1=124KΩ，R2=26KΩ，.这两个数值的不好买调换的比值不能变，R1选择100KΩ，R2选择22KΩ。
基极电压是0.12mA，在乘以hFE结果发射极电压是24mA，，实际是1mA。不太理解

6.确定耦合电容C1与C2的方法

C1C2的作用是通交流隔直流。过小在滤波会难以通过低频，频率特性下降
选择10uF，应该是经验值。

7.确定去耦电容C3与C4的方法

低频电路中位置不影响，在高频电路安装位置关键要，引线要短。
小容量是在高频降低阻抗的，低频电路没有也可以正常工作。
通常大容量使用0.01到0.1uF的陶瓷电容器，大电容选择1到100uF的铝电解电容。
C3虚选择0.1uF的叠层陶瓷电容，C4选择10uF的铝电解电容器