转自：https://blog.csdn.net/zhouml_msn/article/details/105056034

一、电源线
宽度：最大工作电流要求宽度 X 3倍
以树枝状铺开, 不要环状铺开
压降: 宽度\长度\温度三个要素, 有计算工具.
二、地线
模、数单独接地
路线：无限循环。以减少不同地的压差
三、信号线
3W原则：线中至线中3倍线宽
50mil以上距离平行电源线
3种元件远离：晶振、电感、电磁
上下层垂直
四、晶振
失败案例：

线宽 > 8mil, 越宽越好
线长尽量相等，频率越高越重要;
和芯片同层尽靠，
远离电感、电磁;
电容布在芯片、晶振之间;
底面不布线，底面不布线，底面不布线，干扰大！
电路底层挖穿1到2层，不履铜，不履地，因为：1_防寄生电容(相近的层状金属层寄生电容大， 2_防热传递致偏频。
电路用粗地线包围，导线也被包围，且地线多打过孔。

晶振：晶振周围要包地，有条件打一圈地过孔。晶振不能离板边过近，注意应力要求。敏感信号远离晶振，内层走线也要避开晶振投影区域。

贴一个网上的正确示例：

晶振电路的PCB设计

位置要选对：晶振内部是石英晶体，如果不慎掉落或受不明撞击，石英晶体易断裂破损，所以晶振的放置远离板边，靠近MCU的位置布局。

两靠近：耦合电容应尽量靠近晶振的电源管脚，如果多个耦合电容，按照电源流入方向，依次容值从大到小摆放；晶振则要尽量的靠近MCU。

走线短：所有连接晶振输入/输出端的导线尽量短，以减少噪声干扰及分布电容对晶振的影响。

高独立：尽可能保证晶振周围的没有其他元件。防止器件之间的互相干扰，影响时钟和其他信号的质量。晶振周围 1mm 禁布器件，0.5mm 禁布过孔走线，所有晶振下不打过孔(包括地过孔)。

外壳要接地：晶振的外壳必须要接地，除了防止晶振向外辐射，也可以屏蔽外来的干扰。

www.21micro-grid.com

原理图设计要点：

(1)、晶振电源去耦非常重要，建议加磁珠，去耦电容选两到三个，容值递减。

(2)、时钟输出管脚加匹配，具体匹配阻值，可根据测试结果而定。

(3)、预留的电容C1，容值要小，构成了一级低通滤波，电阻、电容的选择，根据具体测试结果而定。

PCB设计要点：

(1)、在PCB设计是，晶振的外壳必须接地，可以防止晶振的向往辐射，也可以屏蔽外来的干扰。

(2)、晶振下面要铺地，可以防止干扰其他层。因为有些人在布多层板的时候，顶层和底层不铺地，但是建议晶振所在那一块铺上地。

(3)、晶振底下不要布线，周围5mm的范围内不要布线和其他元器件(有的书是建议300mil范围内，大家可以参考)，主要是防止晶振干扰其他布线和器件。

(4)、晶振不要布在板子的边缘，因为为了安全考虑，板卡的地和金属外壳或者机械结构常常是连在一起的，这个地我们暂且叫做参考接地板，如果晶振布在板卡的边缘，晶振与参考接地板会形成电场分布，而板卡的边缘常常是有很多线缆，当线缆穿过晶振和参考接地板的电场是，线缆被干扰了。而晶振布在离边缘远的地方，晶振与参考接地板的电场分布被PCB板的GND分割了，分布到参考接地板电场大大减小了。

(5)、当然时钟线尽量要短。如果你不想让时钟线走一路干扰一路，那就布短吧。还有一点，关于晶振的选择，如果你的系统能工作在25M，就尽量不要选50M的晶振。时钟频率高，是高速电路，时钟上升沿陡也是高速电路，需要考虑信号完整性。

补充：

1、晶振下方不要走线，晶振出线包地，走线过程不能隔断，不要过孔换层；

2、晶振引出的两根时钟线也要短，防止形成发射天线；

3、晶振输出脚串电阻，加22或33PF等滤波电容, 电容到地路径要短；

4、可以使用扩频、展频等手段，但需要硬件支持，同时也可能会影响高速信号质量；

5、屏蔽晶振，金属外壳检查接地，必要时可贴吸波材料进行防护。
原文链接：https://blog.csdn.net/weixin_39534759/article/details/112146212

01 晶体振荡单元(无源晶振)的布线规则

1、振荡电路(振荡单元、振荡电容)应配置在振荡IC附近；

2、晶振电路下面的各层都需要铺地，不能放置器件和走线，尤其是高频信号线路；

3、晶振电路做包地处理时需要打大量地孔，否则包地无意义；

4、四脚晶振，建议晶振走线从内部走，减小晶振的环路，如下图所示。

02 石英晶体振荡器(有源晶振)的布线规则

1、振荡电路(振荡单元、振荡电容)应配置在振荡IC附近；

2、晶振电路下面的各层都需要铺地，不能放置器件和走线，尤其是高频信号线路；

3、晶振电路做包地处理时需要打大量地孔，否则包地无意义；

4、电源先经过旁路电容，然后再进入晶振，如下图所示(高频噪声通常直线前进)。

晶振起振的可靠性

单片机晶振不起振是常见现象，那么引起晶振不起振的原因有哪些呢？如何解决？

01 晶振不起振的原因

1、PCB布线错误，现在的PCB不再是单一功能电路(数字或模拟电路)，而是由数字电路和模拟电路混合组成的。因此，PCB布线的时候可能出现问题导致晶振不起振；

2、单片机或晶振的质量问题；

3、负载二极管或匹配电容与晶振不匹配或者电容质量有问题；

4、PCB板受潮，导致阻抗失配而不能起振；

5、晶振电路的走线过长或两脚之间有走线导致晶振不起振，通常我们在PCB布线时晶振电路的走线应尽量短且尽可能靠近振荡器，严禁在晶振两脚间走线；

6、晶振受外围电路的影响而不起振。

02 晶振不起振的解决方案

1、排除电路错误的可能性，因此你可以用相应型号单片机的推荐电路进行比较。

2、排除外围元件不良的可能性，因为外围零件无非为电阻，电容，你很容易鉴别是否为良品。

3、排除晶振为停振品的可能性，因为你不会只试了一二个晶振。

4、试着改换晶体两端的电容，也许晶振就能起振了，电容的大小请参考晶振的使用说明。

5、在 PCB 布线时晶振电路的走线应尽量短且尽可能靠近 IC，杜绝在晶振两脚间走线。

(图文内容由快点PCB整理自网络)

相关资源：40个单片机晶振问题及解决方法小结
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原文链接：https://blog.csdn.net/weixin_39622521/article/details/112223228

PCB上晶振布局很难？5分钟教你掌握！

问题描述

某行车记录仪，测试的时候要加一个外接适配器，在机器上电运行测试时发现超标，具体频点是84MHZ、144MH、168MHZ，需要分析其辐射超标产生的原因，并给出相应的对策。辐射测试数据如下：

2 辐射源头分析

该产品只有一块PCB，其上有一个12MHZ的晶体。其中超标频点恰好都是12MHZ的倍频，而分析该机器容易EMI辐射超标的屏和摄像头，发现LCD-CLK是33MHZ，而摄像头MCLK是24MHZ；

通过排除发现去掉摄像头后，超标点依然存在，而通过屏蔽12MZH晶体，超标点有降低，由此判断144MHZ超标点与晶体有关，PCB布局如下：

3 辐射产生的原理

从PCB布局可以看出，12MHZ的晶体正好布置在了PCB边缘，当产品放置与辐射发射的测试环境中时，被测产品的高速器件与实验室中参考接地会形成一定的容性耦合，产生寄生电容，导致出现共模辐射，寄生电容越大，共模辐射越强；

而寄生电容实质就是晶体与参考地之间的电场分布，当两者之间电压恒定时，两者之间电场分布越多，两者之间电场强度就越大，寄生电容也会越大，晶体在PCB边缘与在PCB中间时电场分布如下：

（PCB边缘的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图）

（PCB中间的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图）

从图中可以看出，当晶振布置在PCB中间，或离PCB边缘较远时，由于PCB中工作地（GND）平面的存在，使大部分的电场控制在晶振与工作地之间，即在PCB内部，分布到参考接地板去的电场大大减小，导致辐射发射就降低了。

4 处理措施

将晶振内移，使其离PCB边缘至少1cm以上的距离，并在PCB表层离晶振1cm的范围内敷铜，同时把表层的铜通过过孔与PCB地平面相连。经过修改后的测试结果频谱图如下，从图可以看出，辐射发射有了明显改善。

5 思考与启示

高速的印制线或器件与参考接地板之间的容性耦合，会产生EMI问题，敏感印制线或器件布置在PCB边缘会产生抗扰度问题。

如果设计中由于其他一些原因一定要布置在PCB边缘，那么可以在印制线边上再布一根工作地线，并多增加过孔将此工作地线与工作地平面相连

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