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SBT40100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片,其尺寸都是120MIL,是一款低压降肖特基二极管。SBT40100VDC的浪涌电流Ifsm为300A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT40100VDC采用金属硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。SBT40100VDC的电性参数是:正向电流(Io)为40A,反向耐压为100V,正向电压(VF)为0.54V,恢复时间(Trr)为5nS,其中有3条引线。

SBT40100VDC参数描述

型号:SBT40100VDC

封装:TO-263

特性:低压降肖特基二极管

电性参数:40A,100V

正向电流(Io):40A

芯片个数:2

正向电压(VF):0.54V

芯片尺寸:120MIL

浪涌电流Ifsm:300A

漏电流(Ir):10uA

工作温度:-65~+150℃

引线数量:3

SBT40100VDC贴片封装系列。它的本体长度为9.5mm,加引脚长度为15.9mm,宽度为10.69mm,高度为4.85mm,脚间距为2.54mm。SBT40100VDC具有低正向压降、可靠的高温操作、最柔和快速的切换能力、无铅表面处理等特性。

以上就是关于SBT40100VDC-ASEMI肖特基二极管SBT40100VDC的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。

ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

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