IC后端物理效应WPE--Well Proximity Effect(阱临近效应)
今天介绍一下后端设计中的一些物理效应,这些物理效应在以前的老工艺中不太明显,但是工艺越先进,它们的影响就越大,Foundary必须在建库以及后端设计者必须在建版图绘制(对于模拟集成电路而言)或者布局布线(对于数字集成电路而言)中考虑这些物理效应,否则它们将影响电路的性能,甚至可能导致芯片Fail。
这些效应包括:
WPE: Well Proximity Effect, 阱临近效应
LOD: Length of Diffusion, 扩散区长度效应
OSE: OD Space Effect, 扩散区/有源区间距效应
PSE: Poly Space Effect, 栅间距效应
WPE: Well Proximity Effect, 阱临近效应
考虑:90nm工艺时需要考虑
STI stress
考虑:0.25um工艺下使用STI浅槽隔离,利用CVD沉淀产生SiO2,而不是局部氧化LOCOS进行,防止SiO2对两侧器件产生应力。
LOD: Length of Diffusion, 扩散区长度效应
考虑:在65nm之前的工艺制程中,OSE的影响并不明显,所以STI stress effect单纯指LOD effect。
OSE: OD Space Effect, 扩散区/有源区间距效应
考虑:在65nm之前的工艺制程中,OSE的影响并不明显,所以STI stress effect单纯指LOD effect。 而45nm以下的工艺制程,OSE的影响就不能再被忽略了。
PSE: Poly Space Effect, 栅间距效应
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