超低插损的新材料射频开关(PCM RF switch)的新进展
超低插损的新材料射频开关(PCM RF switch)的新进展
- 简单的背景资料
- 从分离器件到芯片集成
- PCM RF开关单片集成的几种电路
- 数控电容(DSC,Digital Step Capacitor)
- 切换滤波(Switched Filter)
- 可调滤波(sub 6 GHz tunable RF filter)
- 小结
简单的背景资料
相变材料射频开关(PCM RF switches, phase-change material RF switches)有能力实现超过10THz的截止频率。其在微波和毫米波频段的插入损耗,是目前各种开关中最低的,甚至低于以低插损著称的MEMS射频开关1,各种开关性能的比较如图1、图2所示。因此,与CMOS及SiGe BiCMOS工艺进行结合,有很多多功能射频电路与器件的研究,比如LNA、VCO和接收机。
图1 PCM RF switches与各种工艺射频SPDT开关的导通状态插入损耗比较1
图2 PCM RF switches与各种工艺射频SPDT开关的截止状态隔离度比较1
从分离器件到芯片集成
不过在之前的各种相关研究中,PCM RF开关都是作为独立的器件,通过BGA或者倒装焊与商用工艺开发的芯片进行互联的。比如图3所示,倒装再SiGe上的小黑块就是PCM RF开关。这种集成方式会引入寄生参数从而影响性能。所以如果能够将该类开关与传统的商用芯片加工工艺进行融合,避免各种寄生参数的引入,就能够极大限度的扩展这类开关的应用。
图3 分离的PCM RF开关与SiGe芯片集成2
根据文献3来自Tower Semiconductor的团队声称,这篇文章的工作第一次将相变射频开关(phase-change RF switches)通过单片集成工艺进行集成,该集成通过该公司 SBC18H3B SiGe BiCMOS process完成,同时验证了PCM射频开关并不会影响FETs和bipolar等BiCMOS工艺器件的性能。
完成这种集成的难度并不在于PCM RF开关与单片集成电路材料的不同,而在于PCM RF开关工作所需要的温度变化。
如果需要把该开关切换到关闭的状态,需要控制电流流过一个微加热器,来将PCM融化,当电流关闭的时候,PCM的温度需要快速的(在100ns内)冷却到结晶温度(crystallization temperature),来转换到无序的高阻态(原文是high resistivity amorphous state,不知道对不对),如果冷却的过慢,那么PCM依然会保持为开启的状态。
这种快速冷却的需求需要PCM RF 开关必须直接在热导载体上加工,比如高阻硅(hi-resistivity Si),蓝宝石(sapphire)和碳化硅(SiC)。
PCM RF 开关没办法直接构建在CMOS工艺的BEOL(back end of line)上。因为常用的层间介质ILD材料为SiO2或SiN,这两种材料热导率都很低,不能快速散热来完成开关状态的切换;而常用的金属层虽然有较高的热导率,但较高的电导率将破坏开关的性能。也就是说,所需要的材料要有较高的热导率,电绝缘,同时还需要与BEOL兼容。文中最终选择的材料是氮化铝(AlN),不仅是绝缘介质,而且有高达130W/m.K的热导率。
图4 PCM RF开关与锗硅工艺进行集成3
大概了解了PCM RF开关集成的问题和解决方案后,我准备跳过文献中讲工艺的第二节,因为实在是不太理解,大概就是图4的样子。直接看后面的验证电路。
PCM RF开关单片集成的几种电路
数控电容(DSC,Digital Step Capacitor)
5bit的DSC容值分别为0.2pF,0.4pF,0.8pF,1.6pF,3.2pF,共32种状态。理论上当开关全ON状态,电容为零,而当开关全OFF状态,容值为6.2pF。但是由于加工误差和额外的电容,最终实测全ON状态为33fF,全OFF状态为6.75pF。芯片实物和测试结果如图5。
图5 DSC的测试结果3
切换滤波(Switched Filter)
通过两个SPDT,在50欧姆直通和24.25GHz~33.4GHz带通滤波间进行切换。通过单独的滤波器测试(图6c红色虚线)和级联两级SPDT后的滤波器测试对比(图6c红色实线)可知,集成PCM RF开关的引入并没有明显造成毫米波频段滤波器的传输特性变化,间接证明了其引入的寄生参数极小。
图6 Switched Filter的测试结果3
可调滤波(sub 6 GHz tunable RF filter)
通过7级开关,并将DSC引入,滤波器设计可以对高端的阻带抑制和低端的阻带抑制进行调节。高端的调节用了三个开关,切换6pF、1.5pF和0.9pF,低端也有三个开关,切换0.49pF、1.0pF和3.3pF,低端还有第4个开关用于旁路直通。
图7 可调滤波器的版图和电路构成3
通过切换开关共128个滤波状态,图8展示了几种与通信相关的频段滤波。
图8 可调滤波器的实际测试3
小结
上面的三个应用实例的性能并不很吸引人,主要用来证明PCM RF开关的单片集成可行性,同时说明这种集成基本不影响其它电路。这种开关的使用,最关键的还是追求其极低的插入损耗,图9是另一个团队在文献4中发布的SPST实测曲线,相对PIN的SPST,在插入损耗上还是有一定优势。
图9 PCM RF开关SPST实测曲线4
N. El-Hinnawy et al., “12.5 THz Fco GeTe Inline Phase-Change Switch Technology for Reconfigurable RF and Switching Applications,” 2014 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 2014, pp. 1-3. ↩︎ ↩︎ ↩︎
R. H. Olsson, K. Bunch, C. Gordon and N. Zhou, “Creating a universal radio frequency front-end for elemental digital beam formed phased arrays,” 2016 IEEE International Symposium on Phased Array Systems and Technology (PAST), 2016, pp. 1-4. ↩︎
G. Slovin, N. El-Hinnawy, C. Masse, J. Rose and D. Howard, “Monolithic Integration of Phase-Change RF Switches in a Production SiGe BiCMOS Process with RF Circuit Demonstrations,” 2020 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2020, pp. 57-60. ↩︎ ↩︎ ↩︎ ↩︎ ↩︎ ↩︎
T. Singh and R. R. Mansour, “Miniaturized Reconfigurable 28 GHz PCM-Based 4-bit Latching Variable Attenuator for 5G mmWave Applications,” 2020 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2020, pp. 53-56. ↩︎ ↩︎
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