自学做记录帖子

软件: IC617 Redhat

工艺包:smic13mmrf

一建立工作目录

在home文件夹下新建了个EDA文件夹用来存放资料;在EDA文件夹里,新建一个project的文件夹(自定义),用来存放第一个工程文件;新建一个PDK文件夹,用来存放工艺库。

二启动软件

在新建好的project空白的目录下,右键,选择 open in Terminal,打开控制台。

IC 617启动命令:virtuoso &

三建立library

File-New-Library:出现New Library窗口,名字自定义,这里我取example,选择Attach to an existing technology library;再弹出的窗口里选择smic13mmrf 工艺库,点OK。

建立原理图

i 添加器件
w 进行连线
Q 属性更改
P 添加引脚

i添加器件,选择Browse(浏览)可以查看库里的器件,勾选show categories(分类),找到mosfets,添加pmos,nmos,注意选择symbol的视图

点check and save,验证原理图,启动器窗口实际是log日志记录,可以查看原理图是否出现错误和警告。

四画反相器版图

进入版图界面launch-layout XL

打开菜单connectivity,选择Generate,点All from source

在generate中,只需勾选instances,其余两个不需要

会出现两个红框,这时器件已经导进来了,只是没有显示层,shift+f

常用快捷键

a 快速对齐选中的图形
p 路径连接
f 最佳视图
r 画矩形
s 伸缩
l 生成label
o 打孔

使用快捷键a将两个器件栅极对齐,使用P将两个栅极连接(GT层),使用P时,软件会自动识别线层和线宽,连接完成时按enter。

将栅极连接好后,同样使用P连接其他极,连接网络标号相同的极。

左源右漏,四端器件,衬底接触,调出来,选中器件,快捷键Q,parameter-Bodytie Type(Detached)

勾选√used,M1层S源连接VDD/VSS,单击enter确定/双击也行。

d漏相接,M1层;g栅连接,GT层,矩形R

in/out都要通过金属层连接到最上面的焊盘,所以在g栅上打孔,O-via  Defintion √M1-GT

能打两个孔就不打一个

接下来打pin脚(不会被实际制造出来,一致性检查)

label(与原理图中pin名一致)打在金属上

select layer一定选择M1 TXT层,字符放在M1金属上(罗曼字体 2.0)

但in不能直接放 ,字符只能放在金属层,我们需要栅极上打孔。

五反相器版图验证

DRC

calibre-run nmDRC

错误提示:

LVS

calibre-Run nmLVS

最后

自学记录不是很懂

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