LPDDR4 与 DDR4 与 LPDDR4x 内存：有何不同？

LPDDR4 相当于移动设备上的 DDR4 内存，与 DDR4 相比，它具有更低的功耗，但是以带宽为代价的。LPDDR4 具有双 16 位通道，因此每个 DIMM 有 32 位总线。相比之下，DDR4 每个 DIMM 具有 64 位通道。但是，与此同时，LPDDR4 具有更宽的 16n 预取，每个通道总共（16 words x 16 bit）256 bit/32 bytes，是两个通道组合的两倍。

另一方面，DDR4 的每个通道有两个 8n 预取，可将数据传入和传出控制器。两个 bank 是独立的，可以执行两个独立的 8n 预取，这是通过使用多路复用器对其内部组进行时分多路复用来完成的，每个组每个周期总共有 8 words x 64 bit = 512 bits（64 bytes）。

与 DDR4 相比，LPDDR4 功耗更低，但以带宽为代价。LPDDR4 具有双 16 位通道，导致总总线为 32 位。相比之下，DDR4 具有 64 位通道。

LPDDR4 还具有更灵活的突发长度，范围从 16 到 32（256 或 512 bits，32 或 64 bytes），主要使用 16 BL。另一方面，DDR4 限制为每个周期 8 个突发长度（128 bits或 16 bytes），每个 bank 可以执行额外的传输（来自两个不同的 bank 组）。

要了解突发长度的含义，需要知道内存是如何访问的。当 CPU 或缓存请求新数据时，将地址发送到内存模块和所需行，然后定位该列（如果不存在，则加载新行）。请记住，每一步之后都会有延迟。

之后，整个列以突发方式通过内存总线发送。对于 DDR4，每次突发为 8（或 16B）。对于DDR5，它已经增加到 32 （最高 64B）。每个时钟有两个突发，它们以有效数据速率发生。此外，与 LPDDR4 类似，DDR5 每个 DIMM 有两个 32 位通道，在双 DIMM 配置中总共有四个通道，预取和 BL 也增加到 16。这个数字其实是理想的，因为内存中的每个高速缓存线都具有相同的大小。

与标准 DDR4 内存相比，这种设计使 LPDDR4 的能效更高，非常适合用于电池待机时间长达 8-10 小时的智能手机。美光的 LPDDR4 RAM 以 2133 MHz 时钟频率，传输速率为 4266 MT/s，而三星紧随其后，时钟频率为 1600MHz，传输速率为 3200 MT/s。此外，正如在下表（来自维基百科）中所见，LPDDR4 (1.1v) 的电压比 DDR4 (1.2v) 低得多，尽管具有相似或更高的 I/O 总线时钟。

DDR

低功耗DDR

摩托罗拉新旗舰采用美光制造的 LPDDR5 RAM

来源

最后，还有内存Bank的问题，LPDDR4 再次针对低功耗进行了优化，而 DDR4 内存则相反。虽然 DDR4 内存由 16 个Bank组成，每个Bank Group包含四个独立的Bank，但 LPDDR4 和 LPDD4X DIMM 每个通道共有八个Bank，因此总数量为 16 个（16-bit x 2）。LPDDR5采用了类似于DDR4的结构。

LPDDR4 与 LPDDR4X：有何不同？

与 DDR5 降低电压和功耗的方式类似，LPDDR4X 也是如此，它将 I/O 电压降低了 50%（1.12 至 0.61v），大大降低了内存和内存控制器的功耗。

此外，速度也从3200MT/s提升到4266MT/s（无OC），这是使用更快的 I/O 总线时钟（1600MHz 至 2134MHz）和内存阵列（200-266.7MHz）的结果，命令和地址总线保留了 6 位 SDR 空间。最后，它占用的片上空间更小，单个封装最多可包含 12GB 的 DRAM。不利的一面是，LPDDR4X 不向后兼容 LPDDR4，即使设备与更快的 LPDDR4 内存兼容，它也可能无法与 LPDDR4X 一起使用。

LPDDR4/LPDDR4x 与 LPDDR5 与 DDR5

LPDDR5 比 LPDDR4 和 LPDDR4x 更节能。由于使用了动态电压缩放 (DVS)，它可以根据负载调整电压，进而调整内存频率。与LPDDR4/4x一样，LPDDR5 也具有双 16 位通道，以及高达 32（主要是 16）的突发长度。

另一方面，DDR5 每个 DIMM 具有两个 32 位通道（DDR4 每个通道有一个 64 位），每个通道的突发长度和预取为 16n（DDR4 只有一半）。根据 JEDEC 标准，DDR5 和 LPDDR5 都将支持高达 6400 Mbps 的速度，尽管我们不会在第一波模组中看到它们。LPDDR5 还将密度提高到每通道 32Gb，工作电压低至 VDD 1.05/0.9V 和 I/O 0.5/0.35V。

	LPDDR5 DRAM	LPDDR4 DRAM
设备尺寸	2Gb 到 32Gb（每通道） 4、8 和 16 个 bank 设备 1k、2k 和 4k 页面大小	2Gb 至 16Gb（每通道） 8 个 bank 设备 2k 页大小
速度	高达 6400 Mbps	高达 4266 Mbps
电压	1.8V DRAM 阵列 1.05V / 0.9V 核心 0.5V / 0.3 VI/O	1.8V DRAM 阵列 1.1V 核心 1.1V / 0.6VI/O

由于使用了动态电压缩放 (DVS)，LPDDR5 可以支持两种电压模式：1.05V (C) 和 0.5V (I/O)，高频时 0.9V (C) 和在低率下工作时0.3V (I/O) 。

LPDDR5 功能包括用于命令/地址 (C/A) 时钟 (CK) 的全新可扩展时钟架构，以实现更轻松的 SoC 时序收敛，以及 DDR5 的大部分功能，例如决策反馈均衡器 (DFE)、Write X 功能以节省功耗，并链接 ECC 以增强内存通道 RAS。

最后，LPDDR5 还具有更灵活的 bank 结构。虽然 DDR5 包含 32 个Bank，但它的移动版本可以从 4 到 16 个Bank不等，最多有四个Bank组（尽管 1-2 是标准）。总体而言，LPDDR5 提高了电源效率，以及移动内存的频率和带宽，同时保留了 LPDDR4/LPDDR4x 众所周知的灵活性。