一、mos管一差分对匹配

注意事项:

⒈差分对必须采用双排的共质心ABBA形式。除非在不重要的cell,得到电路准许才可画一排。★必须加dummy(一排,两排)

⒉在m<4的情况下,s/D端不合并的画法匹配度比源漏合并的高一些。具体看长度差距分析,超过4个不建议用s、D不合并方法

⒊★sTi效应:对器件有挤压效果,影响Id,

应对方法:dummy不算,从第一个有效器件量到边缘,为sa/sb,其宽>2um,STi的挤压效果对漏电流的影响趋于平稳

⒋BG,REF,EA,ADC,DAC,重要的op等,要加dummy,不是所有差分对都需要加dummy

⒌差分对连线要基本一致,相对应孔间距要一样,via>2,经过线覆盖程度要一样

6.尽量选用个数为2、4、8、16的管子来做ABBA匹配。如管子个数为16,当L值较大时,要做4排来匹配。主要看差分对画完后整体面积的长宽比例不能太大,最好不过3:1太多

7.除4层以上工艺,多数差分对都采用metal2跨过管子的匹配方式即可。4层以上用metal3,采用源漏端合并的匹配方式

8.高精度匹配的差分对,不加任何对匹配可能造成影响的因素,不可在管子上跨线(包括自身连接线)


ps:差分对的输入输出尽量不要平行/交叠(会相互干扰)

二、mos管一电流镜匹配

电流镜电路:

1.电路里s端连接电源,gate连接在一起的pmos管,且gate电位来源这些gate连接在一起的管子中的一路,即pmos电流镜。同理,NMos管s端连接地,其余相同

以nmos为例:

2.cascode结构的电流镜,在电流镜的基础上,紧挨着电流镜管子的通路上加一个开关管(开关管:通过这个管子来控制这条电流路径开关),此开关管作用为增加此路的阻抗

增加阻抗的原理:


注意事项:

1.基准管子尽量放中间,若多个可放两边

2.做ABBA匹配的电流镜,不要放到整体电流镜边缘,尽量加dummy,横向放置(可能使电压开启时间不同或电压衰减)时也可不加dummy

3.(指数较少,面积较小)横向放置电流镜时,长的电流镜注意2头都要打接触孔,同时用metal连接在一起,特别要防止把电流镜的poly当连线使用

4.无论横放竖放,匹配要求较高时,管子s,D端不可合并,且各个管子s端和D端方向要一致

5.若采用电流镜和开关管合并一起匹配的画法,也就是Cascode的画法,注意电流镜的重要度是否大于整体匹配度。稍微复杂时,如果个数非常多,这时不需要纠结整体的s、d是否一致,关键是在电流镜的匹配。长度长时尽量化成两排或三排, 则尽量sd端方向一致。

6.有时候同一电流镜(gate连接到一起的电流镜属于同一电流镜)放到了不同的小cell里,重要电路的电流镜注意放到一起


ps:

1.差分对的s端尽量打在中间位置,到电流镜的距离尽量短

2.电流镜的gate上,尽量不要走出他的gate线之外的线,要走要和电路确认

3.个数少的电流镜尽量放中间

4.利用开关管的空间当线道,可节约面积

5.连线都用metal2,可当metal option用,改版方便

6.横向连接的管子注意gate上要用metal 1把两端连接在一起

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