IGBT静态参数测试系统可测项目有哪些？

IGBT静态参数测试系统特点和优势：

单台Z大3000V输出；

单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A；

10us的超快电流上升沿；

同步测量；

国标全指标的自动化测试；

技术指标

项目		参数
集电极-发射极	Z大电压.	3000V
	Z大电流	1000A
	精度	0.10%
	漏电流测试量程	1uA~100mA
栅极-发射极	Z大电压.	300V
	Z大电流	1A(直流)/10A(脉冲)
	精度	0.10%
	Z小电压分辨率	30uV
	Z小电流分辨率	10pA

可测项目

集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces

集电极-发射极饱和电压Vce sat

集电极电流Ic，集电极截止电流Ices

栅极漏电流Iges，栅极-发射极阈值电压Vge(th)

栅极电阻Rg

电容测量

I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

普赛斯IGBT静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

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